Galium indium arsenida antimonida fosfida: Riwayat revisi

Pilih dua tombol radio lalu tekan tombol bandingkan untuk membandingkan versi. Klik suatu tanggal untuk melihat versi halaman pada tanggal tersebut.

(skr) = perbedaan dengan versi sekarang, (akhir) = perbedaan dengan versi sebelumnya,  k = suntingan kecil, → = suntingan bagian, ← = ringkasan suntingan otomatis

20 Juni 2023

16 Juni 2023

  • skrgsblm 09.1716 Juni 2023 09.17 Wiz Qyurei bicara kontrib 2.294 bita +2.294 ←Membuat halaman berisi ''''Galium indium arsenida antimonida fosfida''' ('''{{chem2|auto=1|GaInAsSbP}}''' atau '''GaInPAsSb''') adalah sebuah bahan semikonduktor. Penelitian telah menunjukkan bahwa GaInAsSbP dapat digunakan dalam pembuatan dioda pemancar cahaya inframerah menengah<ref name=Krier2007>Room temperature midinfrared electroluminescence from GaInAsSbP light emitting diodes, A. Krier, V. M. Smirnov, P. J. Batty, V. I. Vasil’ev, G. S. Gagis, and V. I. K...' Tag: Suntingan perangkat seluler Suntingan peramban seluler Suntingan seluler lanjutan