Transistor efek medan: Perbedaan antara revisi

Konten dihapus Konten ditambahkan

Revisi per 13 Oktober 2005 23.38 sunting Hayabusa future (bicara \| kontrib) Pengecualian blokir IP, Peninjau, Pengembali revisi 38.073 suntingan k kateg ← Revisi sebelumnya		Revisi terkini sejak 18 November 2008 01.00 sunting balikkan Borgxbot (bicara \| kontrib) 259.487 suntingan k Robot: Ganti #REDIRECT ke #ALIH
(3 revisi perantara oleh 3 pengguna tidak ditampilkan)
Baris 1: #ALIH [[MOSFET]] ~~'''Transistor efek medan''' (FET) adalah jenis [[transistor]] yang bekerja dengan adanya modulasi dari [[medan listrik]] di dalam bahan [[semikonduktor]].~~ ~~Jenis-jenis transistor efek medan adalah [[MOSFET]], [[JFET]], [[MESFET]], [[HEMT]], dan [[TFT]].~~ ~~{{Stub}}~~ ~~[[Kategori:Transistor\|Efek medan]]~~ ~~[[ca:Transistor d'efecte camp]]~~ ~~[[da:Felteffekttransistor]]~~ ~~[[de:Feldeffekttransistor]]~~ ~~[[en:Field effect transistor]]~~ ~~[[es:Transistor de efecto campo]]~~ ~~[[ja:電界効果トランジスタ]]~~ ~~[[lt:Lauko tranzistorius]]~~ ~~[[nl:Veldeffecttransistor]]~~ ~~[[sl:Tranzistor na poljski pojav]]~~ ~~[[sv:Fälteffekttransistor]]~~ ~~[[zh:场效应管]]~~