Dioda laser: Perbedaan antara revisi

Jelajahi riwayat secara interaktif

Konten dihapus Konten ditambahkan

VisualTeks wiki

Revisi per 14 Mei 2004 01.31 sunting 203.130.231.218 (bicara) tentang dioda biased		Revisi terkini sejak 26 Februari 2022 05.42 sunting balikkan Veracious (bicara \| kontrib) Pengurus antarmuka, Pengecualian blokir IP, Pengurus 159.323 suntingan Tidak ada ringkasan suntingan
(45 revisi perantara oleh 31 pengguna tidak ditampilkan)
Baris 1: [[Berkas:LASER.jpg\|jmpl\|Dioda laser]] dioda laser baru ditemukan pada akhir abad ini,oleh ilmuan HAVARD UNIVERSITY,prinsip kerja dioda ini sama seperti dioda lainnya yaitu melalui sirkuit dari rangkaian elektronika,yang terdiri dari jenis p dan n.pada kedua jenis ini sering dihasilkan 2 tegangan,yaitu▼ '''Dioda laser''' adalah sejenis [[dioda]] di mana media aktifnya menggunakan sebuah [[semikonduktor]] persimpangan p-n yang mirip dengan yang terdapat pada [[dioda pemancar cahaya]]. Dioda laser kadang juga disingkat '''LD''' atau '''ILD'''. 1. biased forward,arus dihasilkan searah dengan nilai 0,707 utk pembagian v puncak,bentuk gelombang diatas ( + )▼ 2. backforward biased,ini meruoakan tegangan berbalik yang dapat merusak suatu komponen elektronika.▼ [[Berkas:Diode laser.jpg\|jmpl\|Sebuah sioda laser dengan perbandingan ukurannya terhadap uang sen US]] ▲~~dioda~~Dioda laser baru ditemukan pada akhir abad ini, oleh ~~ilmuan~~ilmuwan ~~HAVARD~~[[Universitas ~~UNIVERSITY,prinsip~~Harvard]]. Prinsip kerja dioda ini sama seperti ~~dioda~~Dioda lainnya yaitu melalui sirkuit dari rangkaian ~~elektronika~~[[elektronik]]a, yang terdiri dari jenis p dan n.~~pada~~ Pada kedua jenis ini sering dihasilkan 2 tegangan, yaitu: ▲1.# ''biased forward'', arus dihasilkan searah dengan nilai 0,707 utk pembagian v puncak, bentuk gelombang ~~diatas~~di atas ( + ). ▲2.# ''backforward biased'', ini ~~meruoakan~~merupakan tegangan berbalik yang dapat merusak suatu komponen elektronika. ==Bacaan lanjutan== * B. Van Zeghbroeck's ''Principles of Semiconductor Devices''( for direct and indirect band gaps) * Saleh, Bahaa E. A. and Teich, Malvin Carl (1991). ''Fundamentals of Photonics''. New York: John Wiley & Sons. {{ISBN\|0-471-83965-5}}. ( For Stimulated Emission ) * Koyama et al., Fumio (1988), "Room temperature cw operation of GaAs vertical cavity surface emitting laser", Trans. IEICE, E71(11): 1089–1090( for VCSELS) * Iga, Kenichi (2000), "Surface-emitting laser—Its birth and generation of new optoelectronics field", IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics 6(6): 1201–1215(for VECSELS) * [[F. J. Duarte\|Duarte, F. J.]] (2016), "Broadly tunable dispersive external-cavity semiconductor lasers", in ''Tunable Laser Applications''. New York: CRC Press. {{ISBN\|9781482261066}}. [http://www.tunablelasers.com/tla.htm pp. 203–241] (For external cavity Diode lasers). {{elektronik-stub}} [[Kategori:Dioda optikal]] [[Kategori:Laser]]