Wikipedia

Kontak Ohmik: Perbedaan antara revisi

Jelajahi riwayat secara interaktif
← Revisi sebelumnya
Konten dihapus Konten ditambahkan
VisualTeks wiki
Giri Ginanjar (bicara | kontrib)
106 suntingan
Tidak ada ringkasan suntingan
InternetArchiveBot (bicara | kontrib)
Bot
691.848 suntingan
Add 1 book for Wikipedia:Pemastian (20220509)) #IABot (v2.0.8.7) (GreenC bot
 
(23 revisi perantara oleh 15 pengguna tidak ditampilkan)
Baris 1:
kontak'''Kontak ohmic''' merupakan wilayah pada perangkat semikonduktor yang telah disiapkan sehingga kurva antara arus-tegangan (I-V) dari perangkat membentuk garis linear dan simetris. Jika karakteristik I-V adalah non-linear dan asimetris, kontak dapat memblokir sebagai satu atau Schottky kontak. Tipe kontak ohmic pada Semikonduktor antara lain pada bantalan logam teruapkan yang menggunakan pola Fotolitografi. Rendah-hambatan, kontak stabil sangat penting untuk kinerja dan kehandalan dari sirkuit dan persiapannya serta karakterisasi sebagai upaya dalam pembangunan sirkuit.
 
== Teori ==
Tingkat fermi (potensial kimia) kesetimbangan termal dari dua padatan saat bersentuhan harus sama. Perbedaan antara energi fermi dan tingkat hampa adalah sebagai fungsi kerja. Kontak logam dan semikonduktor dapat memiliki berbagai fungsi kerja, denoted φM dan φS masing-masing. Jika demikian, apabila dua bahan ditempatkan dalam kontak, elektron akan mengalir dari satu dengan fungsi kerja yang lebih rendah sampai tingkat Fermi mengimbangkan. Akibatnya, bahan dengan fungsi kerja yang lebih rendah akan mengambil sedikit sementara biaya yang positif dengan fungsi kerja yang lebih tinggi akan menjadi sedikit negatif. Hasil potensial elektrostatik membentuk medan yang ditunjuk oleh Vbi. Potensial kontak ini akan terjadi antara antara dua padatan yang melandasi dan merupakan penyebab fenomena seperti pembetulan dalam dioda dan efek Seebeck. Pembentukan medan disebabkan lipatan-band dekat dalam persimpangan semikonduktor, tetapi lipatan-band tidak terjadi pada kebanyakan logam.▼
 
▲Tingkat fermi (potensial kimia) dari kesetimbangan termal daripada dua padatan saat bersentuhan harus bernilai sama. Perbedaan antara energi fermi dan tingkat hampa adalah sebagai fungsi kerja. Kontak logam dan semikonduktor dapat memiliki berbagai fungsi kerja, denoteddinotasikan φM dan φS masing-masing. Jika demikian, apabila dua bahan ditempatkan dalam kontak, elektron akan mengalir dari satu dengan fungsi kerja yang lebih rendah sampai tingkat Fermi mengimbangkan. Akibatnya, bahan dengan fungsi kerja yang lebih rendah akan mengambil sedikit sementara biaya yang positif dengan fungsi kerja yang lebih tinggi akan menjadi sedikit negatif. Hasil potensial elektrostatik membentuk medan yang ditunjuk oleh Vbi. Potensial kontak ini akan terjadi antara antara dua padatan yang melandasi dan merupakan penyebab fenomena seperti pembetulan dalam diodadiode dan efek Seebeck. Pembentukan medan disebabkan lipatan-band dekat dalam persimpangan semikonduktor, tetapi lipatan-band tidak terjadi pada kebanyakan logam.
[[Image:Ohmic3.png|thumb|right|Kontak ohmic atau hambatan Schottky dibentuk ketika sebuah logam dan semikonduktor tipe-p bersentuhan.]]▼
 
▲[[ImageBerkas:Ohmic3.png|thumbjmpl|rightka|Kontak ohmic atau hambatansawar Schottky dibentuk ketika sebuah logam dan semikonduktor tipe-p bersentuhan.]]
 
== Persiapan dan karakterisasi kontak ohmic ==▼
 
▲==Persiapan dan karakterisasi kontak ohmic==
Pembuatan kontak ohmic telah banyak dipelajari sebagai bagian dari rekayasa material yang yang merupakan suatu seni. '''oksida''' secara cepat akan terbentuk pada permukaan [[Silikon]], misalnya, kinerja kontak dapat bergantung sensitif pada rincian persiapan.
 
== Teknologi penting pada berbagai kontak ==
 
{| class="wikitable"
Baris 17 ⟶ 19:
|-----
| align="center" | [[Silicon|Si]]
| align="center" | [[aluminum|Al]], Al-Si, TiSi<sub>2</sub>, [[titanium nitride|TiN]], [[tungsten|W]], MoSi<sub>2</sub>, PtSi, CoSi<sub>2</sub>, WSi<sub>2</sub>
|-----
| align="center" | [[Germanium|Ge]]
Baris 36 ⟶ 38:
| align="center" | [[molybdenum|Mo]], [[indium tin oxide|InSnO<sub>2</sub>]]
|-----
| align="center" | HgCdTe || align="center" | indium|In
|}
 
Kontak transparan atau semi-transparan diperlukan untuk [[LCD#Active matrix technologies|active matrix LCD display]], optoelektronikpada peralatan optoelektronik seperti [[diodadiode laser]] dan fotovoltaik. Pilihan yang paling populer adalah indium timah oksida.
 
== Signifikansi ==▼
 
Konstanta waktu RC terkait dengan kontak dapat membatasi respon frekuensi dari perangkat. Pengisian dan pemakaian dari hambatan timbal merupakan penyebabkan utama menghilangnya energi dalam tingginya laju waktu digital elektronik. Hambatan kontak menyebabkan menghilangnya energi melalui pemanasan Joule dalam frekuensi rendah dan sirkuit analog (misalnya, [[sel surya]]) yang terbuat dari Semikonduktor kurang umum. ▼
▲==Signifikansi==
 
== Pustaka ==▼
▲Konstanta waktu RC terkait dengan kontak dapat membatasi respon frekuensi dari perangkat. Pengisian dan pemakaian dari hambatan timbal merupakan penyebabkan utama menghilangnya energi dalam tingginya laju waktu digital elektronik. Hambatan kontak menyebabkan menghilangnya energi melalui pemanasan Joule dalam frekuensi rendah dan sirkuit analog (misalnya, [[sel surya]]) yang terbuat dari Semikonduktor kurang umum.
 
* {{cite book|last=Sze|first=S.M.|title=Physics of Semiconductor Devices|url=https://archive.org/details/physicsofsemicon00szes|publisher=John Wiley & Sons|year=1981|isbn=0-471-05661-8}} Discussion of theory plus device implications.
▲==Pustaka==
 
* {{cite book | last=Sze Zangwill| first=S.M. Andrew| title=Physics of Semiconductor Devicesat Surfaces|url=https://archive.org/details/physicsatsurface0000zang| publisher=JohnCambridge Wiley & SonsUniversity Press| year=1981 1988| isbn=0-471521-0566134752-81}} DiscussionApproaches contacts from point of view of theorysurface plusstates deviceand implicationsreconstruction.
 
== Lihat jugabahan ==▼
*{{cite book | last=Zangwill | first=Andrew | title=Physics at Surfaces | publisher=Cambridge University Press | year=1988 | isbn=0-521-34752-1}} Approaches contacts from point of view of surface states and reconstruction.
 
* The [http://www.avs.org/ American Vacuum Society] has an excellent [http://www.avs.org/course.instructor.static.popup.aspx?FileName=semicontacts short course] {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20090522024721/http://www.avs.org/course.instructor.static.popup.aspx?FileName=semicontacts |date=2009-05-22 }} on this topic.▼
▲==Lihat juga==
* [http://www.avs.org/literature.aspx Journal of the American Vacuum Society] {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20060207032647/http://www.avs.org/literature.aspx |date=2006-02-07 }}, [http://www.elsevier.com/locate/issn/00406090 Thin Solid Films] and [http://www.electrochem.org/publications/jes/journal.htm Journal of the Electrochemical Society] are journals that publish current research on ohmic contacts.▼
▲* The [http://www.avs.org/ American Vacuum Society] has an excellent [http://www.avs.org/course.instructor.static.popup.aspx?FileName=semicontacts short course] on this topic.
▲* [http://www.avs.org/literature.aspx Journal of the American Vacuum Society], [http://www.elsevier.com/locate/issn/00406090 Thin Solid Films] and [http://www.electrochem.org/publications/jes/journal.htm Journal of the Electrochemical Society] are journals that publish current research on ohmic contacts.
 
[[enKategori:OhmicIlmu contactmaterial]]
[[Kategori:Fisika benda terkondensasi]]
[[fr:Contact ohmique]]
[[Kategori:Semikonduktor]]
[[uk:Омічний контакт]]
[[zh:歐姆接觸]]
Diperoleh dari "https://wiki-indonesia.club/wiki/Kontak_Ohmik"