Kontak Ohmik: Perbedaan antara revisi

Konten dihapus Konten ditambahkan
k Bot: Penggantian teks otomatis (-schottky +Schottky)
InternetArchiveBot (bicara | kontrib)
Add 1 book for Wikipedia:Pemastian (20220509)) #IABot (v2.0.8.7) (GreenC bot
 
(11 revisi perantara oleh 8 pengguna tidak ditampilkan)
Baris 3:
== Teori ==
 
Tingkat fermi (potensial kimia) dari kesetimbangan termal pada dua padatan saat bersentuhan harus bernilai sama. Perbedaan antara energi fermi dan tingkat hampa adalah sebagai fungsi kerja. Kontak logam dan semikonduktor dapat memiliki berbagai fungsi kerja, denoteddinotasikan φM dan φS masing-masing. Jika demikian, apabila dua bahan ditempatkan dalam kontak, elektron akan mengalir dari satu dengan fungsi kerja yang lebih rendah sampai tingkat Fermi mengimbangkan. Akibatnya, bahan dengan fungsi kerja yang lebih rendah akan mengambil sedikit sementara biaya yang positif dengan fungsi kerja yang lebih tinggi akan menjadi sedikit negatif. Hasil potensial elektrostatik membentuk medan yang ditunjuk oleh Vbi. Potensial kontak ini akan terjadi antara antara dua padatan yang melandasi dan merupakan penyebab fenomena seperti pembetulan dalam diode dan efek Seebeck. Pembentukan medan disebabkan lipatan-band dekat dalam persimpangan semikonduktor, tetapi lipatan-band tidak terjadi pada kebanyakan logam.
 
[[Berkas:Ohmic3.png|thumbjmpl|rightka|Kontak ohmic atau sawar Schottky dibentuk ketika sebuah logam dan semikonduktor tipe-p bersentuhan.]]
 
== Persiapan dan karakterisasi kontak ohmic ==
Baris 45:
== Signifikansi ==
 
Konstanta waktu RC terkait dengan kontak dapat membatasi respon frekuensi dari perangkat. Pengisian dan pemakaian dari hambatan timbal merupakan penyebabkan utama menghilangnya energi dalam tingginya laju waktu digital elektronik. Hambatan kontak menyebabkan menghilangnya energi melalui pemanasan Joule dalam frekuensi rendah dan sirkuit analog (misalnya, [[sel surya]]) yang terbuat dari Semikonduktor kurang umum.
 
== Pustaka ==
 
* {{cite book | last=Sze | first=S.M. | title=Physics of Semiconductor Devices | url=https://archive.org/details/physicsofsemicon00szes|publisher=John Wiley & Sons | year=1981 | isbn=0-471-05661-8}} Discussion of theory plus device implications.
 
* {{cite book | last=Zangwill | first=Andrew | title=Physics at Surfaces | url=https://archive.org/details/physicsatsurface0000zang|publisher=Cambridge University Press | year=1988 | isbn=0-521-34752-1}} Approaches contacts from point of view of surface states and reconstruction.
 
== Lihat bahan ==
 
* The [http://www.avs.org/ American Vacuum Society] has an excellent [http://www.avs.org/course.instructor.static.popup.aspx?FileName=semicontacts short course] {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20090522024721/http://www.avs.org/course.instructor.static.popup.aspx?FileName=semicontacts |date=2009-05-22 }} on this topic.
* [http://www.avs.org/literature.aspx Journal of the American Vacuum Society] {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20060207032647/http://www.avs.org/literature.aspx |date=2006-02-07 }}, [http://www.elsevier.com/locate/issn/00406090 Thin Solid Films] and [http://www.electrochem.org/publications/jes/journal.htm Journal of the Electrochemical Society] are journals that publish current research on ohmic contacts.
 
[[Kategori:Ilmu material]]
[[Kategori:Fisika benda terkondensasi]]
[[Kategori:Semikonduktor]]
 
[[de:Ohmscher Kontakt]]
[[en:Ohmic contact]]
[[fr:Contact ohmique]]
[[ru:Омический контакт]]
[[uk:Омічний контакт]]
[[zh:歐姆接觸]]