Transistor sambungan-paduan: Perbedaan antara revisi

'''''Pertemuan-paduan''''' adalah proses pembuatan [[transistor]] yang pertama kali berhasil secara komersial. Meskipun beberapa [[semikonduktor daya|transistor daya]] dan [[audio]] masih dibuat dengan cara ini, metode ini sekarang sudah terdesak oleh [[proses planar]].

Dalam metode pertemuan-paduan, transistor-transistor dibuat secara individual. Dua butir [[indium]] yang merupakan suatu [[kotoran akseptor]], diletakan pada sisi-sisi berlawanan suatu kepingan tipis [[germanium]] [[semikonduktor tipe-N|tipe-N]] (setebal 50 [[mikrometer|<math>\mu</math>m]]). Rakitan kecil ini dipanaskan sampai 500[[Celcius|^oC]], yaitu diatas [[titik lebur]] indium tetapi dibawah titik lebur germanium, untuk menciptakan dua daerah-P. Daerah-P ini akan menjadi [[emitor]] dan [[kolektor]] dengan ruang-N tipis yang membentuk daerah [[basis]]. Kemudian kabel-kabel disambungkan dengan di[[solder]] atau di[[las]], dan transistor disimpan rapat dalam kaleng.

Proses ini relatif mahal dengan keuntungan rendah dan hanya dapat dipakai untuk memproduksi transistor [[frekuensi]] rendah. Sebab [[frekuensi sumbat]] suatu transistor bergantung pada lebar daerah basis. Lazimnya ''f_T&asymp 1 M[[Hertz|Hz]] untuk transistor pertemuan-paduan.

Transistor [[NPN]] diproduksi dengan menggunakan germanium [[Semikonduktor tipe-P|tipe-P]] dan butiran [[timbal]]-[[antimon]] sebagai [[kotoran donor]].