Transistor sambungan dwikutub: Perbedaan antara revisi

}}

 

 

== Perkenalan ==

Arus kolektor-emitor dapat dipandang sebagai terkendali arus basis-emitor (kendali arus) atau tegangan basis-emitor (kendali tegangan). Pandangan tersebut berhubungan dengan hubungan arus-tegangan dari pertemuan basis-emitor, yang mana hanya merupakan kurva arus-tegangan eksponensial biasa dari diode pertemuan p-n.<ref name="hh">{{cite book|author=[[Paul Horowitz]] and [[Winfield Hill]]|title=[[The Art of Electronics]]|edition=2nd|year=1989|publisher=Cambridge University Press|isbn=9780521370950|url=http://books.google.com/books?id=bkOMDgwFA28C&pg=PA113&dq=bjt+charge+current+voltage+control+inauthor:horowitz+inauthor:hill&as_brr=0&ei=A33kRuT6Co3goAKF5pSqCw&sig=EmoHsk3zMEtvV1VYKR65A4I1SCM}}</ref>

Penjelasan fisika untuk arus kolektor adalah jumlah muatan pembawa minoritas pada daerah basis.<ref name=hh/><ref>{{cite book|title=Semiconductor Device Physics and Simulation|author=Juin Jei Liou and Jiann S. Yuan|publisher=Springer|year=1998|isbn=0306457245|url=http://books.google.com/books?id=y343FTN1TU0C&pg=PA166&dq=charge-controlled+bjt+physics&as_brr=0&ei=l9viRqilEIjopQL_i6WFDg&sig=vXciSaFRmNUmg3KIhmBX7DCiVOA}}</ref><ref>{{cite book|title=Transistor Manual|author=General Electric|edition=6th|year=1962|page=12}} "If the principle of space charge neutrality is used in the analysis of the transistor, it is evident that the collector current is controlled by means of the positive charge (hole concentration) in the base region. ... When a transistor is used at higher frequencies, the fundamental limitation is the time it takes the carriers to diffuse across the base region..." (same in 4th and 5th editions)</ref> Model mendetail dari kerja transistor, [[model Gummel–Poon]], menghitung distribusi dari muatan tersebut secara eksplisit untuk menjelaskan perilaku transistor dengan lebih tepat.<ref>{{cite book|title=Semiconductor Device Modeling with Spice|author=Paolo Antognetti and Giuseppe Massobrio|publisher=McGraw–Hill Professional|year=1993|isbn=0071349553|url=http://books.google.com/books?id=5IBYU9xrGaIC&pg=PA96&dq=gummel-poon+charge+model&as_brr=3&ei=v4TkRp-4Gp2cowLM7bnCCw&sig=vYrycIhlQKCq7VmoK231pjYXPyU#PPA98,M1}}</ref> Pandangan mengenai kendali-muatan dengan mudah menangani transistor-foto, dimana pembawa minoritas di daerah basis dibangkitkan oleh penyerapan foton, dan menangani pematian dinamik atau waktu pulih, yang mana bergantung pada penggabungan kembali muatan di daerah basis. Walaupun begitu, karena muatan basis bukanlah isyarat yang dapat diukur pada saluran, pandangan kendali arus dan tegangan biasanya digunakan pada desain dan analisis sirkuit.

 

=== Tundaan penghidupan, pematian dan penyimpanan ===

== Sejarah ==

[[Berkas:Nachbau des ersten Transistors.jpg|jmpl|Transistor pertama]]

=== Transistor germanium ===

Transistor [[germanium]] sering digunakan pada tahun 1950-an dan 1960-an. Karena transistor jenis ini mempunyai tegangan potong yang rendah, membuatnya cocok untuk beberapa penggunaan isyarat tegangan rendah. Transistor ini memiliki kemungkinan lebih besar untuk mengalami [[thermal runaway]].

=== Teknik produksi ===

* [[Transistor pertemuan]], butiran paduan emitor dan kolektor dilelehkan ke basis. Dikembangkan oleh [[General Electric]] dan [[RCA]]<ref>[http://semiconductormuseum.com/PhotoGallery/PhotoGallery_TA153.htm TRANSISTOR MUSEUM Historic Transistor Photo Gallery '''RCA TA153''']</ref> in 1951.

** [[Transistor paduan mikro terdifusi]], tipe kecepatan tinggi dari transistor pertemuan paduan. Dikembangkan oleh [[Philco]].

** [[Transistor paduan terdifusi tonggak]], tipe kecepatan tinggi dari transistor pertemuan paduan. Dikembangkan oleh [[Philips]].

* [[Transistor tetroda]], varian kecepatan tinggi dari transistor pertemuan tumbuh<ref>[http://semiconductormuseum.com/PhotoGallery/PhotoGallery_3N22.htm TRANSISTOR MUSEUM Historic Transistor Photo Gallery '''WESTERN ELECTRIC 3N22''']</ref> atau transistor pertemuan paduan<ref>[http://ieeexplore.ieee.org/iel5/16/31551/01472171.pdf?arnumber=1472171 The Tetrode Power Transistor] PDF</ref> dengan dua sambungan ke basis.

* [[Transistor medan-alir]], transistor pertemuan dwikutub kecepatan tinggi. Diciptakan oleh [[Herbert Kroemer]]<ref>[http://ieeexplore.ieee.org/iel5/16/20748/00960370.pdf ''Herb’s Bipolar Transistors'' IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, VOL. 48, NO. 11, NOVEMBER 2001] PDF</ref><ref>[http://ieeexplore.ieee.org/iel5/16/31630/01474625.pdf?isnumber=&arnumber=1474625 Influence of Mobility and Lifetime Variations on Drift-Field Effects in Silicon-Junction Devices] PDF</ref> di Central Bureau of Telecommunications Technology of the German Postal Service pada tahun [[1953]].

* [[Transistor difusi]], transistor pertemuan dwikutub tipe modern. Prototip<ref>[http://semiconductormuseum.com/PhotoGallery/PhotoGallery_Prototype_DiffusedBase.htm TRANSISTOR MUSEUM Historic Transistor Photo Gallery '''BELL LABS PROTOTYPE DIFFUSED BASE TRIODE''']</ref> dikembangkan di Bell Labs pada tahun [[1954]].

** [[Transistor Mesa]], dikembangkan oleh [[Texas Instruments]] pada tahun [[1957]].

** [[Transistor planar]], teknik produksi yang memungkinkan produksi sirkuit terpadu monolitik secara massal. Dikembangkan oleh Dr. [[Jean Hoerni]]<ref>[http://semiconductormuseum.com/PhotoGallery/PhotoGallery_2N1613.htm TRANSISTOR MUSEUM Historic Transistor Photo Gallery '''FAIRCHILD 2N1613''']</ref> di [[Fairchild Semiconductor]] pada tahun [[1959]].

 

== Penggunaan ==

BJT tetap menjadi peranti pilihan untuk beberapa penggunaan, seperti sirkuit diskrit, karena tersedia banyak jenis BJT, transkonduktansinya yang tinggi serta resistansi kekuasannya yang tinggi dibandingkan dengan [[MOSFET]]. BJT juga dipilih untuk sirkuit analog khusus, terutama penggunaan frekuensi sangat tinggi (VHF), seperti sirkuit frekuensi radio untuk sistem nirkabel. Transistor dwikutub dapat dikombinasikan dengan MOSFET dalam sebuah sirkuit terpadu dengan menggunakan proses [[BiCMOS]] untuk membuat sirkuit inovatif yang menggunakan kelebihan kedua tipe transistor.

=== Sensor suhu ===

=== Pengubah logaritmik ===

Karena tegangan basis-emitor berubah sebagai fungsi logaritmik dari arus basis-emitor dan kolektor-emitor, sebuah BJT dapat juga digunakan untuk menghitung logaritma dan anti-logaritma. Sebuah diode sebenarnya juga dapat melakukan fungsi ini, tetapi transistor memberikan fleksibilitas yang lebih besar.

Pemaparan transistor ke radiasi menyebalan kerusakan radiasi. Radiasi menyebabkan penimbunan molekul cacat di daerah basis yang berlaku sebagai pusat penggabungan kembali. Hasil dari pengurangan umur pembawa minoritas menyebabkan transistor kehilangan penguatan.

 

 

== Lihat pula ==

* [http://amasci.com/amateur/transis.html How Do Transistors Work?]

* [http://ux.brookdalecc.edu/fac/engtech/andy/engi242/bjt_models.pdf ENGI 242/ELEC 222: BJT Small Signal Models] {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20150501012322/http://ux.brookdalecc.edu/fac/engtech/andy/engi242/bjt_models.pdf |date=2015-05-01 }}

* [http://www.tedpavlic.com/teaching/osu/ece327/lab1_bjt/lab1_bjt_transistor_basics.pdf ECE 327: Transistor Basics] Summarizes simple Ebers–Moll model of a bipolar transistor and gives several common BJT circuits.

* [http://www.tedpavlic.com/teaching/osu/ece327/lab7_proj/lab7_proj_procedure.pdf ECE 327: Procedures for Output Filtering Lab] Section 4 ("Power Amplifier") discusses design of a BJT-Sziklai-pair-based class-AB current driver in detail.

{{Transistor}}