Transistor sambungan dwikutub: Perbedaan antara revisi

Jelajahi riwayat secara interaktif

← Revisi sebelumnya

Konten dihapus Konten ditambahkan

VisualTeks wiki

Revisi per 7 November 2021 07.05 sunting Dare2Leap (bicara \| kontrib) 2.847 suntingan k Memperbaiki kesalahan penggunaan huruf kapital Tag: VisualEditor ← Revisi sebelumnya		Revisi terkini sejak 10 Maret 2023 02.16 sunting balikkan InternetArchiveBot (bicara \| kontrib) Bot 666.094 suntingan Add 1 book for Wikipedia:Pemastian (20230309)) #IABot (v2.0.9.3) (GreenC bot
(4 revisi perantara oleh 3 pengguna tidak ditampilkan)
Baris 101: === Teknik produksi === Berbagai motoda untuk memproduksi transistor pertemuan dwikutub telah dikembangkan.<ref>[http://hm-treasury.gov.uk/media/B/C/queen_mary_ip_research_institute_p5_043_762kb.pdf Third case study – the solid state advent] (PDF)</ref> * [[Transistor pertemuan tumbuh]], teknik pertama untuk memproduksi transistor pertemuan dwikutub.<ref>[http://semiconductormuseum.com/PhotoGallery/PhotoGallery_M1752.htm TRANSISTOR MUSEUM Historic Transistor Photo Gallery '''BELL LABS TYPE M1752''']</ref> Diciptakan oleh [[William Shockley]] di [[Bell Labs]] pada [[23 Juni]] [[1948]].<ref>{{cite book\|last=Morris\|first=Peter Robin\|title=A History of the World Semiconductor Industry\|url=https://archive.org/details/historyofworldse0000morr\|series=IEE History of Technology Series 12\|year=1990\|publisher=Peter Peregrinus Ltd.\|location=London\|isbn=0 86341 227 0\|page=[https://archive.org/details/historyofworldse0000morr/page/n40 29]\|chapter=4.2}}</ref> Hak paten didapatkan pada [[26 Juni]] [[1948]]. * [[Transistor pertemuan]], butiran paduan emitor dan kolektor dilelehkan ke basis. Dikembangkan oleh [[General Electric]] dan [[RCA]]<ref>[http://semiconductormuseum.com/PhotoGallery/PhotoGallery_TA153.htm TRANSISTOR MUSEUM Historic Transistor Photo Gallery '''RCA TA153''']</ref> in 1951. ** [[Transistor paduan mikro]], tipe kecepatan tinggi dari transistor pertemuan paduan. Dikembangkan oleh [[Philco]].<ref>{{cite book Baris 119: BJT tetap menjadi peranti pilihan untuk beberapa penggunaan, seperti sirkuit diskrit, karena tersedia banyak jenis BJT, transkonduktansinya yang tinggi serta resistansi kekuasannya yang tinggi dibandingkan dengan [[MOSFET]]. BJT juga dipilih untuk sirkuit analog khusus, terutama penggunaan frekuensi sangat tinggi (VHF), seperti sirkuit frekuensi radio untuk sistem nirkabel. Transistor dwikutub dapat dikombinasikan dengan MOSFET dalam sebuah sirkuit terpadu dengan menggunakan proses [[BiCMOS]] untuk membuat sirkuit inovatif yang menggunakan kelebihan kedua tipe transistor. === Sensor suhu === Karena ketergantungan suhu dan arus pada tegangan panjar maju pertemuan basis-emitor yang dapat dihitung, sebuah BJT dapat digunakan untuk mengukur suhu dengan menghitung perbedaan dua tegangan pada dua arus panjar yang berbeda dengan perbandingan yang diketahui.<ref>{{Cite web \|url=http://www.maxim-ic.com/appnotes.cfm/appnote_number/689 \|title=Salinan arsip \|access-date=2009-04-26 \|archive-date=2009-10-01 \|archive-url=https://web.archive.org/web/20091001032819/http://www.maxim-ic.com/appnotes.cfm/appnote_number/689 \|dead-url=yes }}</ref> === Pengubah logaritmik === Karena tegangan basis-emitor berubah sebagai fungsi logaritmik dari arus basis-emitor dan kolektor-emitor, sebuah BJT dapat juga digunakan untuk menghitung logaritma dan anti-logaritma. Sebuah diode sebenarnya juga dapat melakukan fungsi ini, tetapi transistor memberikan fleksibilitas yang lebih besar. Baris 125: Pemaparan transistor ke radiasi menyebalan kerusakan radiasi. Radiasi menyebabkan penimbunan molekul cacat di daerah basis yang berlaku sebagai pusat penggabungan kembali. Hasil dari pengurangan umur pembawa minoritas menyebabkan transistor kehilangan penguatan. BJT daya ~~beresiko~~berisiko mengalami moda kegagalan yang dinamakan dobrakan sekunder. Pada moda kegagalan ini, beberapa titik pada kepingan semikonduktor menjadi panas dikarenakan arus yang mengalirinya. Bahang yang ditimbulkan menyebabkan pembawa lebih mudah bergerak. Sebagai hasilnya, bagian terpanas dari kepingan semikonduktor menghantarkan lebih banyak lagi arus. Proses regeneratif ini akan terus berlanjut hingga transistor mengalami kegagalan total atau pencatu daya mengalami kegagalan. == Lihat pula == Baris 143: * [http://amasci.com/amateur/transis.html How Do Transistors Work?] * [http://ux.brookdalecc.edu/fac/engtech/andy/engi242/bjt_models.pdf ENGI 242/ELEC 222: BJT Small Signal Models] {{Webarchive\|url=https://web.archive.org/web/20150501012322/http://ux.brookdalecc.edu/fac/engtech/andy/engi242/bjt_models.pdf \|date=2015-05-01 }} * [http://semiconductormuseum.com/HistoricTransistorTimeline_Index.htm Historic Transistor Timeline] {{Webarchive\|url=https://web.archive.org/web/20141229071443/http://semiconductormuseum.com/HistoricTransistorTimeline_Index.htm \|date=2014-12-29 }} * [http://www.tedpavlic.com/teaching/osu/ece327/lab1_bjt/lab1_bjt_transistor_basics.pdf ECE 327: Transistor Basics] Summarizes simple Ebers–Moll model of a bipolar transistor and gives several common BJT circuits. * [http://www.tedpavlic.com/teaching/osu/ece327/lab7_proj/lab7_proj_procedure.pdf ECE 327: Procedures for Output Filtering Lab] Section 4 ("Power Amplifier") discusses design of a BJT-Sziklai-pair-based class-AB current driver in detail. Baris 149: {{Transistor}} [[Kategori:~~Tipe~~Jenis transistor\|Pertemuan dwikutub]]