Transistor: Perbedaan antara revisi

Untuk mengerti cara kerja [[semikonduktor]], misalkan sebuah gelas berisi air murni. Jika sepasang konduktor dimasukan kedalamnya, dan diberikan tegangan DC tepat dibawahdi bawah tegangan [[elektrolisis]] (sebelum air berubah menjadi [[Hidrogenhidrogen]] dan [[Oksigenoksigen]]), tidak akan ada arus mengalir karena air tidak memiliki pembawa muatan (charge carriers). Sehingga, air murni dianggap sebagai [[isolator]]. Jika sedikit garam dapur dimasukan ke dalamnya, konduksi arus akan mulai mengalir, karena sejumlah pembawa muatan bebas (mobile carriers, [[ion]]) terbentuk. Menaikan konsentrasi garam akan meningkatkan konduksi, namuntetapi tidak banyak. Garam dapur sendiri adalah non-konduktor ([[isolator]]), karena pembawa muatanya tidak bebas.

[[Silikon]] murni sendiri adalah sebuah isolator, namuntetapi jika sedikit pencemar ditambahkan, seperti [[Arsenikarsenik]], dengan sebuah proses yang dinamakan doping, dalam jumlah yang cukup kecil sehingga tidak mengacaukan tata letak kristal silikon, Arsenik akan memberikan [[elektron]] bebas dan hasilnya memungkinkan terjadinya konduksi arus listrik. Ini karena Arsenikarsenik memiliki 5 atom di orbit terluarnya, sedangkan Silikonsilikon hanya 4. Konduksi terjadi karena pembawa muatan bebas telah ditambahkan (oleh kelebihan elektron dari Arsenik). Dalam kasus ini, sebuah Silikon tipe-n (n untuk negatif, karena pembawa muatannya adalah elektron yang bermuatan negatif) telah terbentuk.

Selain dari itu, Silikonsilikon dapat dicampur dengndengan [[Boronboron]] untuk membuat semikonduktor tipe-p. Karena Boron hanya memiliki 3 elektron di orbit paling luarnya, pembawa muatan yang baru, dinamakan "lubang" (hole, pembawa muatan positif), akan terbentuk di dalam tata letak kristal silikon.

Dapat disimakdilihat bahwa pembawa muatan yang bermuatan sama akan saling tolak menolak, sehingga tanpa adanya gaya yang lain, pembawa-pembawa muatan ini akan terdistribusi secara merata di dalam materi semikonduktor. Namun di dalam sebuah transistor bipolar (atau diode junction) dimanadi mana sebuah semikonduktor tipe-p dan sebuah semikonduktor tipe-n dibuat dalam satu keping Silikonsilikon, pembawa-pembawa muatan ini cenderung berpindah ke arah sambungan P-N tersebut (perbatasan antara semikonduktor tipe-p dan tipe-n), karena tertarik oleh muatan yang berlawanan dari seberangnya.

Kenaikan dari jumlah pencemar (doping level) akan meningkatkan konduktivitas dari materi semikonduktor, asalkan tata-letak kristal Silikonsilikon tetap dipertahankan. Dalam sebuah transistor bipolar, daerah terminal emiter memiliki jumlah doping yang lebih besar dibandingkan dengan terminal basis. Rasio perbandingan antara doping emiter dan basis adalah satu dari banyak faktor yang menentukan sifat penguatan arus (current gain) dari transistor tersebut.

Jumlah doping yang diperlukan sebuah semikonduktor adalah sangat kecil, dalam ukuran satu berbanding seratus juta, dan ini menjadi kunci dalam keberhasilan semikonduktor. Dalam sebuah metal, populasi pembawa muatan adalah sangat tinggi; satu pembawa muatan untuk setiap atom. Dalam metal, untuk merubahmengubah metal menjadi isolator, pembawa muatan harus disapu dengan memasang suatu beda tegangan. Dalam metal, tegangan ini sangat tinggi, jauh lebih tinggi dari yang mampu menghancurkannya. Namun, dalam sebuah semikonduktor hanya ada satu pembawa muatan dalam beberapa juta atom. Jumlah tegangan yang diperlukan untuk menyapu pembawa muatan dalam sejumlah besar semikonduktor dapat dicapai dengan mudah. Dengan kata lain, listrik di dalam metal adalah inkompresible (tidak bisa dimampatkan), seperti fluida. Sedangkan dalam semikonduktor, listrik bersifat seperti gas yang bisa dimampatkan. Semikonduktor dengan doping dapat dirubahdiubah menjadi isolator, sedangkan metal tidak.

Gambaran di atas menjelaskan konduksi disebabkan oleh pembawa muatan, yaitu elektron atau lubang, namuntetapi dasarnya transistor bipolar adalah aksi kegiatan dari pembawa muatan tersebut untuk menyebrangi daerah depletion zone. Depletion zone ini terbentuk karena transistor tersebut diberikan tegangan bias terbalik, oleh tegangan yang diberikan di antara basis dan emiter. Walau transistor terlihat seperti dibentuk oleh dua diode yang disambungkan, sebuah transistor sendiri tidak bisa dibuat dengan menyambungkan dua diode. Untuk membuat transistor, bagian-bagiannya harus dibuat dari sepotong kristal silikon, dengan sebuah daerah basis yang sangat tipis.

== Cara Kerjakerja Transistortransistor ==

TransistorFET bipolar(juga dinamakan demikiantransistor karena kanal konduksiunipolar) utamanyahanya menggunakan duasatu polaritasjenis pembawa muatan: (elektron danatau lubanghole, untuktergantung membawadari arustipe listrikFET). Dalam BJTFET, arus listrik utama harusmengalir melewatidalam satu daerah/lapisankanal pembataskonduksi dinamakansempit dengan [[depletion zone]], dandi kedua sisinya (dibandingkan dengan transistor bipolar di mana daerah Basis memotong arah arus listrik utama). Dan ketebalan lapisandari daerah perbatasan ini dapat diaturdiubah dengan kecepatanperubahan tinggitegangan denganyang tujuandiberikan, untuk mengaturmengubah aliranketebalan aruskanal utamakonduksi tersebut. Lihat artikel untuk masing-masing tipe untuk penjelasan yang lebih lanjut.

| [[ImageBerkas:BJT_symbol_PNPBJT symbol PNP.pngsvg|45px]] || PNP || [[ImageBerkas:JFET_symbol_PJFET symbol P.png]] || P-channel

| [[ImageBerkas:BJT_symbol_NPNBJT symbol NPN.pngsvg|45px]] || NPN || [[ImageBerkas:JFET_symbol_NJFET symbol N.png]] || N-channel

| BJT || || JFET ||

* Tipe: [[UJT]], [[Transistor Bipolar|BJT]], [[JFET]], [[IGFET]] ([[MOSFET]]), [[IGBT]], [[HBT]], [[MISFET]], [[VMOSFET]], [[MESFET]], [[HEMT]], [[SCR]] serta pengembangan dari transistor yaitu [[IC]] (''Integrated Circuit'') dan lain-lain.

* Maximum frekwensifrekuensi kerja: Low, Medium, atau High Frequency, RF transistor, Microwave, dan lain-lain

[[Transistor Bipolar|BJT]] (Bipolar Junction Transistor) adalah salah satu dari dua jenis transistor. Cara kerja BJT dapat dibayangkan sebagai dua diodadiode yang terminal positif atau negatifnya berdempet, sehingga ada tiga terminal. Ketiga terminal tersebut adalah emiter (E), kolektor (C), dan basis (B).

Perubahan arus listrik dalam jumlah kecil pada terminal basis dapat menghasilkan perubahan arus listrik dalam jumlah besar pada terminal kolektor. Prinsip inilah yang mendasari penggunaan transistor sebagai penguat elektronik. Rasio antara arus pada koletor dengan arus pada basis biasanya dilambangkan dengan &beta;β atau <math>h_{FE}</math>. &beta;β biasanya berkisar sekitar 100 untuk transistor-transisor BJT.

[[FET]] dibagi menjadi dua keluarga: '''Junction FET''' ([[JFET]]) dan '''Insulated Gate FET''' ([[IGFET]]) atau juga dikenal sebagai '''Metal Oxide Silicon''' (atau '''Semiconductor''') '''FET''' ([[MOSFET]]). Berbeda dengan IGFET, terminal gate dalam JFET membentuk sebuah [[diodadiode]] dengan kanal (materi semikonduktor antara Source dan Drain). Secara fungsinya, ini membuat N-channel JFET menjadi sebuah versi solid-state dari tabung vakum, yang juga membentuk sebuah dioda antaradiode antara [[grid]] dan [[katode]]. Dan juga, keduanya (JFET dan tabung vakum) bekerja di "depletion mode", keduanya memiliki impedansi input tinggi, dan keduanya menghantarkan arus listrik dibawahdi bawah kontrol tegangan input.