Transistor dwikutub gerbang-terisolasi: Perbedaan antara revisi

Konten dihapus Konten ditambahkan

Revisi per 1 September 2022 19.01 sunting Hysocc (bicara \| kontrib) Pengguna terkonfirmasi, Peninjau 63.458 suntingan k Moving from Category:Tipe transistor to Category:Jenis transistor using Cat-a-lot ← Revisi sebelumnya		Revisi terkini sejak 20 Juli 2023 10.31 sunting balikkan Hysocc (bicara \| kontrib) Pengguna terkonfirmasi, Peninjau 63.458 suntingan k Membatalkan 1 suntingan oleh 114.125.215.11 (bicara) ke revisi terakhir oleh XXBlackburnXx Tag: Pembatalan
(4 revisi perantara oleh 4 pengguna tidak ditampilkan)
Baris 16: [[Berkas:IGBT cross section.svg\|ka\|jmpl\|Penampang umum transistor IGBT]] '''Transistor dwikutub gerbang-terisolasi''' (''IGBT = insulated -gate bipolar transistor'') adalah peranti [[semikonduktor]] yang setara dengan gabungan sebuah [[BJT]] dan sebuah [[MOSFET]]. Jenis peranti baru yang berfungsi sebagai komponen [[saklar]] untuk aplikasi daya ini muncul sejak tahun 1980-an. == Karakteristik IGBT ==