EEPROM: Perbedaan antara revisi
Konten dihapus Konten ditambahkan
k →Pranala luar: clean up |
Wadaihangit (bicara | kontrib) k Menambahkan foto ke halaman #WPWP |
||
| (2 revisi perantara oleh 2 pengguna tidak ditampilkan) | |||
Baris 1:
[[Berkas:Silicon Storage Technology 39VF512.png|jmpl|Teknologi Penyimpanan Silikon 39VF512]]
'''EEPROM''' atau ditulis juga '''E<sup>2</sup>PROM''' ('''''E'''lectrically'' '''''E'''rasable'' '''''P'''rogrammable'' '''''R'''ead''-'''''O'''nly'' '''''M'''emory
Pengembangan EEPROM lebih lanjut menghasilkan bentuk yang lebih spesifik, seperti [[memori kilat]] (''flash memory''). Memori kilat lebih ekonomis daripada perangkat EEPROM tradisional, sehingga banyak dipakai dalam perangkat keras yang mampu menyimpan data statik yang lebih banyak (seperti [[USB flash drive|diska lepas USB]]).
Kelebihan utama dari EEPROM dibandingkan [[EPROM]] adalah ia dapat dihapus per blok data tergantung alamat yang diinginkan untuk dihapus secara elektrik. sementara [[EPROM]] tidak bisa dihapus per blok data tetapi keseluruhannya terhapus dan menghapus datanya dengan sinar ultraviolet.
Jika RAM tidak memiliki batasan dalam hal baca-tulis memori, maka EEPROM sebaliknya. Beberapa jenis EEPROM keluaran pertama hanya dapat dihapus dan ditulis ulang (''erase-rewrite'') sebanyak 100 kali, sedangkan model terbaru bisa sampai 100.000 kali.
== Pranala luar ==
| |||