EPROM: Perbedaan antara revisi

'''EPROM''', atau '''erasable programmable read-only memory  '''adalah jenis memori [[Sirkuit terpadu|chip]] yang menyimpan data ketika catu daya dimatikan. Memori komputer yang dapat mengambil data yang tersimpan setelah catu daya telah dimatikan dan dihidupkan kembali disebut non-volatile. Itu adalah sebuah array dari floating-gate transistor individual diprogram oleh perangkat elektronik yang memasok tegangan yang lebih tinggi daripada yang biasanya digunakan dalam rangkaian digital. Sekali diprogram, EPROM dapat dihapus dengan mengekspos ke kuat [[Ultraungu|ultraviolet]] light source (seperti dari mercury vapor light). EPROMs mudah dikenali oleh transparan leburan kuarsa jendela di atas paket, melalui mana [[Silikon|silicon]] chip terlihat, dan yang memungkinkan paparan [[Ultraungu|ultraviolet]] cahaya saat menghapus.

[[Berkas:Eprom.jpg|kiri|jmpl|250x250px|Intel 1702A EPROM, salah satu yang versi paling awal EPROM jenis (1971), 256 dengan 8 bit. KecilJendela kuarsa jendelakecil mengakuimenerima lampucahaya UV untuk penghapusan.]]

Pengembangan memori EPROM sel dimulai dengan penyelidikan ''faulty integrated circuits  ''mana gerbang koneksi dari transistor yang telah rusak. Biaya tersimpan  ini terisolasi gerbang mengubah sifat mereka. EPROM diciptakan oleh Dov Frohman dari [[Intel Corporation|Intel]] pada tahun 1971, yang dianugerahi paten 3660819<ref>{{Citation|title=EPROM patent|url=http://www.google.com/patents?id=vcwtAAAAEBAJ&printsec=abstract#v=onepage&q&f=false|publisher=Google}}.</ref> pada tahun 1968.

Setiap lokasi penyimpanan EPROM terdiri dari satu [[Transistor efek–medan|field-effect transistor]]. Masing-masing field-effect transistor terdiri dari saluran dalam semikonduktor tubuh perangkat. Sumber dan tiriskan kontak yang dibuat untuk daerah-daerah di ujung saluran. Isolasi lapisan oksida ini tumbuh di atas saluran, maka konduktif (silikon atau aluminium) gerbang elektrodaelektrode disimpan, dan lebih tebal lapisan oksida ini diendapkan di atas elektrodaelektrode gerbang.  floating-gate elektrodaelektrode tidak memiliki koneksi ke bagian lain dari sirkuit terpadu dan benar-benar terisolasi dengan lingkungan sekitarnya lapisan oksida. Kontrol elektrodaelektrode gerbang disimpan dan selanjutnya oksida mencakup itu.{{Sfn|Sah|1991}}

[[Berkas:Floating_gate_transistor.png|jmpl|Bagian-lintasPotongan melintang dari floating-gate transistor]]

Menyimpan data dalam memori memerlukan memilih alamat yang diberikan dan menerapkan [[tegangan tinggi]] ke transistor. Hal ini menciptakan longsoran keluarnya elektron yang memiliki energi yang cukup untuk melewati isolasi lapisan oksida dan menumpuk pada elektrodaelektrode gerbang. Ketika tegangan tinggi dihapus, elektron-elektron yang terperangkap pada elektrodaelektrode.<ref>{{Cite book|title=Digital Design and Fabrication|url=https://archive.org/details/digitaldesignfab00oklo|last=Oklobdzija|first=Vojin G.|publisher=CRC Press|year=2008|isbn=0-8493-8602-0|pages=5–17[https://archive.org/details/digitaldesignfab00oklo/page/n167 5]–17}}</ref> Karena nilai insulasi yang tinggi dari silikon oksida sekitar gerbang, muatan yang disimpan tidak mudah bocor dan data dapat dipertahankan selama puluhan tahun.

.</ref> dan masih banyak yang mempertahankan data setelah 35 tahun atau lebih, dan dapat membaca jumlah yang tidak terbatas kali tanpa mempengaruhi seumur hidup. Menghapus jendela harus selalu tertutup dengan label buram untuk mencegah penghapusan disengaja oleh UV ditemukan di bawah sinar matahari atau kamera berkedip. PC lama [[BIOS]] chip yang sering EPROMs, dan menghapus jendela itu sering ditutupi dengan perekat label yang berisi BIOS nama penerbit, [[BIOS]] revisi, dan [[hak cipta]]. Seringkali label ini adalah foil yang didukung untuk memastikan opacity UV.

Penghapusan EPROM mulai terjadi dengan panjang gelombang yang lebih pendek dari 400 [[Nanometer|nm]]. Waktu paparan sinar matahari dari satu minggu atau tiga tahun untuk kamar fluorescent pencahayaan dapat menyebabkan penghapusan. Direkomendasikan penghapusan prosedur adalah paparan sinar UV di 253.7 &nbsp;nm minimal 15 W-sec/cm2 selama 20 sampai 30 menit, dengan lampu pada jarak sekitar 2,5 &nbsp;cm.{{Butuh rujukan|date=November 2014}}{{Quote|Erasure, however, has to be accomplished by non-electrical methods, since the gate electrode is not accessible electrically. Shining ultraviolet light on any part of an unpackaged device causes a photocurrent to flow from the floating gate back to the silicon substrate, thereby discharging the gate to its initial, uncharged condition ([[photoelectric effect]]). This method of erasure allows complete testing and correction of a complex memory array before the package is finally sealed. Once the package is sealed, information can still be erased by exposing it to X radiation in excess of 5*10⁴ [[Rad (unit)|rads]],{{Efn | 500 [[Joule|J]]/kg}} a dose which is easily attained with commercial X-ray generators.<ref>{{Citation | date = May 10, 1971 | title = [[Electronics (magazine)|Electronics Magazine]] | type = article | first = Dov | last = Frohman}}.</ref>|text=Pengahpusannya, harus dilakukan dengan metode non-elektrik, karena elektrodaelektrode gerbang tidak dapet diakses secara elektrik. Sinar ultraviolet tinggi dalam bagian perangkat yang tidak dilindungi akan menyebabkan arus fotolistrik, sehingga mengubah pemakaian gerbang ke kondisi awal dan tidak bermuatan ([[photoelectric effect]]). Metode penghapusan ini memungkinkan pengujian dan koreksi lengkap dari array memori yang kompleks sebelum paket tersebut akhirnya disegel. Setelah paket disegel, informasi masih dapat dihapus dengan mengeksposnya ke radiasi X lebih dari 5 * 104 rad,  dosis yang mudah dicapai dengan generator sinar-X komersil.}}{{Quote|In other words, to erase your EPROM, you would first have to X-ray it and then put it in an oven at about 600 degrees Celsius (to anneal semiconductor alterations caused by the X-rays). The effects of this process on the reliability of the part would have required extensive testing so they decided on the window instead.<ref name = "jmargolin_com-eprom">{{cite web|title= EPROM |url=http://www.jmargolin.com/patents/eprom.htm | date = May 8, 2009 | first = J | last = Margolin}}.</ref>|text=Dengan kata lain, untuk menghapus EPROM Anda, Anda harus terlebih dahulu melakukan X-ray dan kemudian memasukkannya ke dalam oven sekitar 600 derajat celcius (untuk perubahan semikonduktor anneal yang disebabkan oleh sinar-X). Efek dari proses ini pada keandalan bagian akan memerlukan pengujian ekstensif sehingga mereka memutuskan pada jendela sebagai gantinya.}}EPROM memiliki jumlah terbatas namun banyak siklus penghapusan; silikon dioksida di sekitar gerbang akan mengumpulkan kerusakan dari setiap siklus, membuat chip tidak dapat diandalkan setelah beberapa ribu siklus. Pemrograman EPROM lambat dibandingkan bentuk memori lainnya. Karena bagian kepadatan tinggi memiliki sedikit oksida terbuka di antara lapisan interkoneksi dan gerbang, penghapusan sinar ultraviolet menjadi kurang praktis untuk ingatan yang sangat besar. Bahkan debu di dalam kemasan bisa mencegah beberapa sel terhapus.{{Sfn|Sah|1991}}

Untuk volume bagian yang besar (ribuan keping atau lebih), ROM yang diprogram oleh masker adalah perangkat dengan biaya terendah untuk diproduksi. Namun, ini memerlukan waktu beberapa minggu untuk membuat, karena artwork untuk lapisan mask IC harus diubah untuk menyimpan data pada ROM. Awalnya, diperkirakan EPROM akan terlalu mahal untuk penggunaan [[produksi massal]] dan hanya akan terbatas pada pengembangan saja. Segera ditemukan bahwa produksi volume kecil itu ekonomis dengan bagian EPROM, terutama saat keuntungan upgrade firmware cepat dipertimbangkan.

Beberapa [[Pengendali mikro|mikrokontroler]], dari sebelum era [[EEPROM|EEPRO]]M  dan [[Memori kilat|flash memory]],  gunakan EPROM on-chip untuk menyimpan program mereka. Microcontrollers semacam itu mencakup beberapa versi yaitu versi  Intel 8048, Freescale 68HC11, dan "C" versi mikrokontroler PIC.  Seperti chip EPROM, mikrokontroler semacam itu masuk dalam versi windowed (mahal) yang digunakan untuk debugging dan pengembangan program. Chip yang sama masuk (agak murah) paket OTP buram untuk produksi. Meninggalkan mati chip seperti itu yang terpapar cahaya juga dapat mengubah perilaku dengan cara yang tak terduga saat berpindah dari bagian berjendela yang digunakan untuk pembangunan ke bagian yang tidak berjendela untuk produksi.