Transistor efek–medan: Perbedaan antara revisi
Konten dihapus Konten ditambahkan
k replaced: Dioda → Diode (2) |
SabitAprido (bicara | kontrib) Membalikkan revisi 26552097 oleh 103.148.200.205 (bicara) Tag: Pembatalan Suntingan perangkat seluler Suntingan peramban seluler |
||
| (6 revisi perantara oleh 4 pengguna tidak ditampilkan) | |||
Baris 10:
|simbol=
|susunan_kaki=3 pin, gerbang, sumber, cerat}}
'''Transistor efek–medan''' (FET) adalah salah satu jenis [[transistor]] yang menggunakan [[medan listrik]] untuk mengendalikan [[Konduktivitas & resistivitas elektrik|konduktifitas]] suatu kanal dari jenis pembawa muatan tunggal dalam bahan [[semikonduktor]]. FET kadang-kadang disebut sebagai transistor ekakutub untuk membedakan operasi pembawa muatan tunggal yang dilakukannya dengan operasi dua pembawa muatan pada [[transistor dwikutub]] (BJT).
== Sejarah ==
Transistor efek–medan diciptakan oleh [[Julius Edgar Lilienfeld]] pada tahun 1925 dan oleh [[Oskar Heil]] pada tahun 1934, tetapi peranti praktis tidak dibuat secara massal hingga tahun 1990-an.
== Saluran ==
Semua FET mempunyai sebuah saluran gerbang (gate), cerat (drain) dan sumber (source) yang kira-kira sama dengan basis, kolektor dan emitor pada BJT. Selain [[JFET]], semua FET juga mempunyai saluran keempat yang dinamakan badan, dasar atau substrat. Saluran keempat ini melayani kegunaan teknis dalam [[pemanjaran transistor]]
[[Berkas:Lateral_mosfet.svg|jmpl|Irisan MOSFET tipe-n]]
Nama-nama saluran pada FET mengacu pada fungsinya. Saluran gerbang dapat dianggap sebagai pengontrol buka-tutup dari gerbang sesungguhnya. Gerbang ini mengizinkan [[elektron]] untuk mengalir atau mencegahnya dengan membuat dan mengikangkan sebuah kanal di antara sumber dan cerat. Elektron mengalir dari sumber menuju ke saluran cerat jika ada tegangan yang diberikan. Badan merupakan seluruh semikonduktor dasar dimana gerbang, sumber dan cerat diletakkan. Biasanya saluran badan disambungkan ke tegangan tertinggi atau terendah pada sirkuit, tergantung pada tipenya. Saluran badan dan saluran sumber biasanya disambungkan karena sumber biasanya disambungkan ke tegangan tertinggi atau terendah dari sirkuit, tetapi ada beberapa penggunaan dari FET yang tidak seperti demikian, seperti sirkuit [[gerbang transmisi]] dan [[kaskoda]].
Baris 43:
FET yang paling sering digunakan adalah [[MOSFET]]. Teknologi proses [[CMOS]] (complementary-symmetry metal oxide semiconductor) adalah dasar dari sirkuit terpadu digital modern.
Lapisan isolasi tipis antara gerbang dan kanal membuat FET rawan terhadap kerusakan akibat [[pengosongan elektrostatik]] selama penanganan. Biasanya ini bukanlah sebuah masalah setelah peranti terpasang.
Pada FET, elektron dapat mengalir pada kedua arah melalui kanal ketika dioperasikan pada moda linier, dan konvensi penamaan antara saluran sumber dan saluran cerat agak merupakan keputusan sendiri, karena peranti FET biasanya (tetapi tidak selalu) dibuat simetris dari sumber ke cerat. Ini membuat FET cocok untuk
== Referensi ==
{{reflist}}
Baris 53:
{{Commonscat|Field-effect Transistors}}
* [http://www.pbs.org/transistor/science/info/transmodern.html PBS The Field Effect Transistor]
* [http://www.onr.navy.mil/sci%5Ftech/31/312/ncsr/devices/jfet.asp Junction Field Effect Transistor] {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20090414152553/http://www.onr.navy.mil/sci_tech/31/312/ncsr/devices/jfet.asp |date=2009-04-14 }}
* [http://www.play-hookey.com/semiconductors/enhancement_mode_mosfet.html The Enhancement Mode MOSFET] {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20100109095643/http://www.play-hookey.com/semiconductors/enhancement_mode_mosfet.html |date=2010-01-09 }}
* [http://www.allaboutcircuits.com/vol_4/chpt_3/7.html CMOS gate circuitry]
* [http://www.analog.com/library/analogDialogue/archives/35-05/latchup/ Winning the Battle Against Latchup in CMOS Analog Switches]
* [http://www.research.ibm.com/nanoscience/fet.html Nanotube FETs at IBM Research] {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20110410104046/http://www.research.ibm.com/nanoscience/fet.html |date=2011-04-10 }}
* [http://www.freescale.com/files/rf_if/doc/app_note/AN211A.pdf Field Effect Transistors in Theory and Practice] {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20120302150645/http://www.freescale.com/files/rf_if/doc/app_note/AN211A.pdf |date=2012-03-02 }}
{{Transistor}}
[[Kategori:
| |||