Transistor dwikutub gerbang-terisolasi: Perbedaan antara revisi
Konten dihapus Konten ditambahkan
k Clean up, replaced: piranti → peranti using AWB |
k Membatalkan 1 suntingan oleh 114.125.215.11 (bicara) ke revisi terakhir oleh XXBlackburnXx Tag: Pembatalan |
||
| (8 revisi perantara oleh 6 pengguna tidak ditampilkan) | |||
Baris 9:
|penemu=
|pembuatan_pertama=
|simbol=[[Berkas:Transistor IGBT.png|
|susunan_kaki=3 kaki (gerbang, kolektor, emitor)
|fungsi=
|keterangan=
}}
[[Berkas:IGBT cross section.svg|
'''Transistor dwikutub gerbang-terisolasi''' (''IGBT = insulated
Sesuai dengan namanya, peranti baru ini merupakan peranti yang menggabungkan struktur dan sifat-sifat dari kedua jenis transistor tersebut di atas, BJT dan MOSFET. Dengan kata lain, IGBT mempunyai sifat kerja yang menggabungkan keunggulan sifat-sifat kedua jenis transistor tersebut. Saluran gerbang dari IGBT, sebagai saluran kendali juga mempunyai struktur bahan penyekat ([[isolator]]) sebagaimana pada MOSFET.
Baris 30:
Dengan demikian bila [[tegangan jatuh]] serta borosan dayanya pada saat keadaan menghantar juga kecil. Dengan sifat-sifat seperti ini, IGBT akan sesuai untuk dioperasikan pada arus yang besar, hingga ratusan [[Ampere]], tanpa terjadi kerugian [[daya]] yang cukup berarti. IGBT sesuai untuk aplikasi pada perangkat ''[[Inverter]]'' maupun [[Kendali Motor Listrik]] (''Drive'').
Komponen utama di dalam aplikasi [[elekronika daya]] dewasa ini adalah [[saklar]] peranti padat yang diwujudkan dengan peralatan [[semikonduktor]] seperti transistor dwikutub (BJT), transistor efek medan (FET), maupun [[Thyristor]]. Sebuah saklar ideal di dalam penggunaan elektronika daya akan mempunyai sifat-sifat sebagai berikut:
# pada saat keadaan tidak menghantar (off), saklar mempunyai tahanan yang besar sekali, mendekati nilai tak berhingga. Dengan kata lain, nilai arus bocor struktur saklar sangat kecil
# Sebaliknya, pada saat keadaan menghantar (on), saklar mempunyai tahanan menghantar (<math>R_{on}</math>) yang sekecil mungkin. Ini akan membuat nilai tegangan jatuh (''voltage drop'') keadaan menghantar juga sekecil mungkin, demikian pula dengan besarnya borosan daya yang terjadi, dan kecepatan pensaklaran yang tinggi.
Baris 42:
{{transistor}}
[[Kategori:
| |||