Silikon nitrida: Perbedaan antara revisi
Konten dihapus Konten ditambahkan
Rescuing 1 sources and tagging 0 as dead.) #IABot (v2.0.8 |
Add 1 book for Wikipedia:Pemastian (20231010)) #IABot (v2.0.9.5) (GreenC bot |
||
| (Satu revisi perantara oleh satu pengguna lainnya tidak ditampilkan) | |||
Baris 59:
== Produksi ==
Material ini disiapkan dengan memanaskan silikon bubuk antara 1300 °C dan 1400 °C dalam
:<chem>3Si + 2N2 -> Si3N4</chem>
Baris 77:
:<chem>3Si(NH2) -> Si3N4{} + N2{} + 3H2_{(g)}\ \mathit{pada}\ \mathit{1000^oC}</chem>
[[Reduksi karbotermal]] silikon dioksida dalam
:<chem>3SiO2 + 6C + 2N2 -> Si3N4 + 6CO</chem>
Baris 83:
Film silikon nitrida kelas elektronik dibentuk dengan menggunakan [[deposisi uap kimia]] (''chemical vapor deposition'', CVD), atau salah satu variannya, seperti ''[[Plasma-enhanced chemical vapor deposition]]'' (PECVD):<ref name=hist/><ref name=prop/>
:<chem>{3SiH4_(g)} + 4NH3_(g) -> {Si3N4_(s)} + {12H2_(g)}\ \mathit{pada}\ \mathit{750-850^oC}</chem><ref name="Morgan&Board">{{cite book|last1=Morgan|first1=D. V.|last2=Board|first2=K.|title=An Introduction To Semiconductor Microtechnology|url=https://archive.org/details/introductiontose0000morg_x0b5|date=1991|publisher=John Wiley & Sons|location=Chichester, West Sussex, England|isbn=0471924784|page=[https://archive.org/details/introductiontose0000morg_x0b5/page/27 27]|edition=2nd|accessdate=14 December 2016}}</ref>
:<chem>{3SiCl4_(g)} + {4NH3_(g)} -> {Si3N4_(s)} + {12HCl_(g)}</chem>
:<chem>{3SiCl2H2_(g)} + {4NH3_(g)} -> {Si3N4_(s)} + {6HCl_(g)} + {6H2_(g)}</chem>
| |||