Wikipedia

Sawar Schottky: Perbedaan antara revisi

Jelajahi riwayat secara interaktif
← Revisi sebelumnya
Konten dihapus Konten ditambahkan
VisualTeks wiki
Gombang (bicara | kontrib)
Pengurus
11.048 suntingan
k sesuaikan dengan judul
Kim Nansa (bicara | kontrib)
3.274 suntingan
Fitur saranan suntingan: 3 pranala ditambahkan.
 
(58 revisi perantara oleh 13 pengguna tidak ditampilkan)
Baris 1:
'''Penghalang Schottky''', dinamai dari penemunya [[Walter H. Schottky]], adalah sebuah penghalang potensial yang terbentuk pada pertemuan [[logam]]-[[semikonduktor]] yang mempunyai karakteristik [[penyearah]]an, cocok untuk penggunaan sebagai [[diode]]. Perbedaan paling nyata antara penghalang Schottky dengan sambungan p-n adalah tegangan pertemuannya yang biasanya lebih rendah dan pengurangan lebar pemiskinan pada logam.
{{rapikan}}
Tidak semua persimpanganpertemuan logam-semikonduktor akan membentuk hambatanpenghalang Schottky. PersimpanganSemua pertemuan logam-semikonduktor yang tidak memperbaikimenyearahkan disebutarus dinamakan sambungan ohmicohmik. SifatKarakteristik yang lebih baikpenyearahan tergantungbergantung pada fungsi kerja logam, celahrenggang intrinsikjalur pada semikonduktor intrinsik, jenis, dan konsentrasi dopantspengotor dalampada semikonduktor, dan faktor-faktor lainnya. RancanganDesain semikonduktordari memerlukanperanti perangkatsemikonduktor yangmembutuhkan sesuaikeakraban dengan efek Schottky untuk memastikanmeyakinkan hambatanbahwa penghalang Schottky tidak diciptakanterbentuk dimanadengan sebuahtak sambungandisengaja ohmicketika diinginkan sambungan dikehendakiohmik.▼
'''Sawar Schottky''' atau '''Hambatan Schottky''', diambil dari nama Walter H. Schottky, merupakan hambatan potensial dibentuk pada persimpangan logam-semikonduktor yang memiliki karakteristik lebih baik. Perbedaan terbesar antara hambatan Schottky dan persimpangan p-n yang biasanya mempunyai tegangan lebih rendah.
== Kelebihan ==
Penghalang Schottky dengan tegangan pertemuannya yang lebih rendah sering digunakan saat diinginkan peranti yang membutuhkan diode ideal. Ini juga digunakan pada diode dan [[transistor]] biasa, dimana tegangan pertemuannya yang lebih rendah digunakan untuk perlindungan sirkuit.
Karena salah satu bahan dari diode Schottky adalah logam, peranti dengan resistansi yang lebih rendah dapat diproduksi. Sebagai tambahan, kenyataan bahwa hanya satu tipe pengotoran sangat mempermudah pembuatan. Dan karena lebar pemiskina yang rendah, diode Schottky dapat mencapai kecepatan pensakelaran yang jauh lebih tinggi daripada diode sambungan p-n, membuatnya lebih diutamakan untuk menyearahkan isyarat [[frekuensi tinggi]].
Walaupun demikian, pada kenyataannya peranti Schottky hanya sedikit digunakan dibandingkan teknologi semikonduktor lainnya.
== Peranti-peranti ==
Sebuah peranti yang menggunakan pertemuan menyearahkan logam-semikonduktor itu sendiri dinamakan sebagai [[diode Schottky]].
Sebuah transistor sambungan dwikutub dengan penghalang Schottky di antara basis dan kolektor disebut dengan [[transistor Schottky]]. Karena tegangan pertemuan penghalang Schottky sangat rendah, transistor dicegah untuk jenuh terlalu dalam, sehingga memperbaiki kecepatan transistor jika digunakan sebagai sakelar. Ini adalah dasar dari TTL Schottky.
Sebuah [[MESFET]], atau FET logam-semikonduktor, adalah peranti dengan operasi yang mirip [[JFET]], tetapi menggunakan sebuah penghalang Schottky yang dipanjar mundur untuk membentuk daerah pemiskinan. Varian dari peranti ini adalah [[HEMT]], atau transistor pergerakan elektron tinggi, yang juhan menggunakan pertemuan campur untuk mendapatkan konduktansi tinggi.
 
HambatanPenghalang Schottky sering digunakan juga dalam teknik karakterisasi listrik semikonduktor. Bahkan, dalam semikonduktor, penipisandaerah daerahpemiskinan yang dibuatdibentuk oleh elektron logam, yang dapat "mendorong" lebih jauh elektron dari semikonduktor. Dalam penipisan daerah, dopantsdopant akan terionisasi dansehingga menimbulkan sebuah "muatan ruang muatan" yang, pada gilirannya, akan meningkatkan [[kapasitansi]] dari persimpangansimpangan. Antarmuka antara logam-semikonduktor dan batas yang berlawanan dari daerah kosong bertindak seperti dua bidang kapasitorkondensator, dengan daerah kosong bertindak sebagai dielectricdielektrik.▼
▲Tidak semua persimpangan logam-semikonduktor akan membentuk hambatan Schottky. Persimpangan logam-semikonduktor yang tidak memperbaiki disebut sambungan ohmic. Sifat yang lebih baik tergantung pada fungsi kerja logam, celah intrinsik semikonduktor, jenis, dan konsentrasi dopants dalam semikonduktor, dan faktor lainnya. Rancangan semikonduktor memerlukan perangkat yang sesuai dengan efek Schottky untuk memastikan hambatan Schottky tidak diciptakan dimana sebuah sambungan ohmic dikehendaki.
 
HambatanPenghalang Schottky dengan bahan dari karbon nanotube dengan menggunakan kontak nonideal antara permukaan logam dan karbon''carbon nanotube'' (CNT) untuk membentuk sebuah hambatansawar Schottky yang dapat digunakan untuk membuat diodadiode Schottky atau transistor, dan lain sebagainya. Karbon nanotube atau CNT dapat menjadi alternatif yang praktis untuk perangkatmembuat biasaperangkat karena ukurannya yang kecil, sifat unikmekanik mekanisyang unik dan kemampuan elektronik.▼
Manfaat
Hambatan Schottky, dengan tegangan yang lebih rendah, digunakan dalam persimpangan dengan dioda normal, transistors, dan untuk perlindungan sirkuit.
 
Karena salah satu bahan dalam dioda Schottky adalah logam, fakta bahwa hanya satu jenis dopant sangat diperlukan untuk menyederhanakan pembuatan. Dan karena rendahnya jarak celah, diodes Schottky dapat mencapai kecepatan yang lebih besar berpindah dari pada persimpangan diodes p-n, sehingga dapat memperbaiki sinyal frekuensi tinggi.
 
Secara keseluruhan, perangkat Schottky dapat ditemukan hanya pada aplikasi yang terbatas dibandingkan dengan aplikasi teknologi semikonduktor lainnya.
 
Sebuah persimpangan Transistor bipolar dengan hambatan Schottky antara dasar dan kolektor dikenal sebagai Schottky transistor. Karena tegangan persimpangan dari penghalang Schottky yang relatif kecil, dapat dicegah oleh transistor, yang dapat meningkatkan kecepatannya ketika digunakan sebagai saklar. Ini adalah dasar untuk Schottky dan Schottky lanjutan, serta pada varian dengan tenaga yang rendah.
 
▲Hambatan Schottky sering digunakan juga dalam teknik karakterisasi listrik semikonduktor. Bahkan, dalam semikonduktor, penipisan daerah yang dibuat oleh elektron logam, yang "mendorong" jauh elektron semikonduktor. Dalam penipisan daerah, dopants terionisasi dan menimbulkan sebuah "muatan ruang " yang, pada gilirannya, meningkatkan kapasitansi dari persimpangan. Antarmuka logam-semikonduktor dan batas yang berlawanan dari daerah kosong bertindak seperti dua bidang kapasitor, dengan daerah kosong bertindak sebagai dielectric.
 
▲Hambatan Schottky karbon nanotube menggunakan kontak nonideal antara logam dan karbon nanotube (CNT) untuk membentuk sebuah hambatan Schottky yang dapat digunakan untuk membuat dioda Schottky atau transistor, dan sebagainya. Karbon nanotube dapat menjadi alternatif yang praktis untuk perangkat biasa karena ukurannya yang kecil, sifat unik mekanis dan elektronik.
 
== Lihat pula ==
* [[KontakSambungan Ohmicohmik]]
* [[Dioda schottkySchottky]]
* [[Dioda]]
* [[Logam-keadaan celah terinduksi]]
* [[Memristor]]
== Pustaka ==
 
# Streetman, B.G., “Solid State Electronic Devices”, Prentice Hall, USA, 1995.
# Michael Shur, Introduction to Electronic Devices, John Wiley & Sons, Inc., USA, 1995.
# Zahari Mohamed Darus, Pengenalan Elektronik Keadaan Pepejal, Longman Malaysia, 1993.
# Tuck, B. and Christopoulos, C., "Physical Electronics", Edward Arnold, 1986.
# Ralph J. Smith, Elektronik: Litar dan Peranti, penterjemah: Abd Rahman Ramli, Rahman Wagiran, Shahbudin Shaari, DBP, 1995.
== Pranala luar ==
* (en) [http://academic.brooklyn.cuny.edu/physics/tung/Schottky/index.htm Pelatihan online tentang penghalang Schottky]
 
[[Kategori:Semikonduktor]]
[[Kategori:Elektronika]]
Diperoleh dari "https://wiki-indonesia.club/wiki/Sawar_Schottky"