Kontak Ohmik: Perbedaan antara revisi

Jelajahi riwayat secara interaktif

← Revisi sebelumnya

Konten dihapus Konten ditambahkan

VisualTeks wiki

Revisi per 27 Desember 2008 04.00 sunting Giri Ginanjar (bicara \| kontrib) 106 suntingan Tidak ada ringkasan suntingan ← Revisi sebelumnya		Revisi terkini sejak 10 Mei 2022 16.06 sunting balikkan InternetArchiveBot (bicara \| kontrib) Bot 692.650 suntingan Add 1 book for Wikipedia:Pemastian (20220509)) #IABot (v2.0.8.7) (GreenC bot
(32 revisi perantara oleh 15 pengguna tidak ditampilkan)
Baris 1: ~~kontak~~'''Kontak ohmic''' merupakan wilayah pada perangkat semikonduktor yang telah disiapkan sehingga kurva antara arus-tegangan (I-V) dari perangkat membentuk garis linear dan simetris. Jika karakteristik I-V adalah non-linear dan asimetris, kontak dapat memblokir sebagai ~~satu atau~~ Schottky kontak. Tipe kontak ohmic pada Semikonduktor antara lain pada bantalan logam teruapkan yang menggunakan pola Fotolitografi. Rendah-hambatan, kontak stabil sangat penting untuk kinerja dan kehandalan dari sirkuit dan persiapannya serta karakterisasi sebagai upaya dalam pembangunan sirkuit. == Teori == Tingkat fermi (potensial kimia) kesetimbangan termal dari dua padatan saat bersentuhan harus sama. Perbedaan antara energi fermi dan tingkat hampa adalah sebagai fungsi kerja. Kontak logam dan semikonduktor dapat memiliki berbagai fungsi kerja, denoted φM dan φS masing-masing. Jika demikian, apabila dua bahan ditempatkan dalam kontak, elektron akan mengalir dari satu dengan fungsi kerja yang lebih rendah sampai tingkat Fermi mengimbangkan. Akibatnya, bahan dengan fungsi kerja yang lebih rendah akan mengambil sedikit sementara biaya yang positif dengan fungsi kerja yang lebih tinggi akan menjadi sedikit negatif. Hasil potensial elektrostatik membentuk medan yang ditunjuk oleh Vbi. Potensial kontak ini akan terjadi antara antara dua padatan yang melandasi dan merupakan penyebab fenomena seperti pembetulan dalam dioda dan efek Seebeck. Pembentukan medan disebabkan lipatan-band dekat dalam persimpangan semikonduktor, tetapi lipatan-band tidak terjadi pada kebanyakan logam.▼ ▲Tingkat fermi (potensial kimia) dari kesetimbangan termal ~~dari~~pada dua padatan saat bersentuhan harus bernilai sama. Perbedaan antara energi fermi dan tingkat hampa adalah sebagai fungsi kerja. Kontak logam dan semikonduktor dapat memiliki berbagai fungsi kerja, ~~denoted~~dinotasikan φM dan φS masing-masing. Jika demikian, apabila dua bahan ditempatkan dalam kontak, elektron akan mengalir dari satu dengan fungsi kerja yang lebih rendah sampai tingkat Fermi mengimbangkan. Akibatnya, bahan dengan fungsi kerja yang lebih rendah akan mengambil sedikit sementara biaya yang positif dengan fungsi kerja yang lebih tinggi akan menjadi sedikit negatif. Hasil potensial elektrostatik membentuk medan yang ditunjuk oleh Vbi. Potensial kontak ini akan terjadi antara antara dua padatan yang melandasi dan merupakan penyebab fenomena seperti pembetulan dalam ~~dioda~~diode dan efek Seebeck. Pembentukan medan disebabkan lipatan-band dekat dalam persimpangan semikonduktor, tetapi lipatan-band tidak terjadi pada kebanyakan logam. [[Image:Ohmic3.png\|thumb\|right\|Kontak ohmic atau hambatan Schottky dibentuk ketika sebuah logam dan semikonduktor tipe-p bersentuhan.]]▼ ▲[[~~Image~~Berkas:Ohmic3.png\|~~thumb~~jmpl\|~~right~~ka\|Kontak ohmic atau ~~hambatan~~sawar Schottky dibentuk ketika sebuah logam dan semikonduktor tipe-p bersentuhan.]] == Persiapan dan karakterisasi kontak ohmic ==▼ ▲==Persiapan dan karakterisasi kontak ohmic== Pembuatan kontak ohmic telah banyak dipelajari sebagai bagian dari rekayasa material yang yang merupakan suatu seni. '''oksida''' secara cepat akan terbentuk pada permukaan [[Silikon]], misalnya, kinerja kontak dapat bergantung sensitif pada rincian persiapan. == Teknologi penting pada berbagai kontak == {\| class="wikitable" Baris 17 ⟶ 19: \|----- \| align="center" \| [[Silicon\|Si]] \| align="center" \| [[aluminum\|Al]], Al-Si, TiSi<sub>2</sub>, ~~[[titanium nitride\|~~TiN]], [[tungsten\|W]], MoSi<sub>2</sub>, PtSi, CoSi<sub>2</sub>, WSi<sub>2</sub> \|----- \| align="center" \| [[Germanium\|Ge]] \| align="center" \| [[indium\|In]], AuGa, AuSb \|----- \| align="center" \| ~~[[Gallium arsenide\|~~GaAs]] \| align="center" \| [http://www.semiconfareast.com/ohmic_table.htm AuGe], PdGe, Ti/Pt/Au \|----- \| align="center" \| ~~[[Gallium nitride\|~~GaN]] \| align="center" \| [http://scitation.aip.org/getabs/servlet/GetabsServlet?prog=normal&id=JVTBD9000020000004001444000001&idtype=cvips&gifs=yes Ti/Al/Ti/Au], [http://scitation.aip.org/getabs/servlet/GetabsServlet?prog=normal&id=APPLAB000073000020002953000001&idtype=cvips&gifs=yes Pd/Au] \|----- \| align="center" \| [[InSb]] \|\| align="center" \| [[indium\|In]] \|----- \| align="center" \| [[ZnO]] \| align="center" \| [[indium tin oxide\|InSnO<sub>2</sub>]], [[aluminum\|Al]] \|----- Baris 36 ⟶ 38: \| align="center" \| [[molybdenum\|Mo]], [[indium tin oxide\|InSnO<sub>2</sub>]] \|----- \| align="center" \| [[HgCdTe]] \|\| align="center" ~~\| [[indium~~\|In]] \|} Kontak transparan atau semi-transparan diperlukan untuk [[LCD#Active matrix technologies\|active matrix LCD display]], ~~[[optoelectronic]]~~pada peralatan optoelektronik seperti [[~~dioda~~diode laser]] dan ~~[[photovoltaics]]~~fotovoltaik. Pilihan yang paling populer adalah ~~[[Timah~~ indium timah oksida]]. == Signifikansi == Konstanta waktu RC terkait dengan kontak dapat membatasi respon frekuensi dari perangkat. Pengisian dan pemakaian dari hambatan timbal merupakan penyebabkan utama menghilangnya energi dalam tingginya laju waktu digital elektronik. Hambatan kontak menyebabkan menghilangnya energi melalui pemanasan Joule dalam frekuensi rendah dan sirkuit analog (misalnya, [[sel surya]]) yang terbuat dari Semikonduktor kurang umum. == Pustaka == * {{cite book\|last=Sze\|first=S.M.\|title=Physics of Semiconductor Devices\|url=https://archive.org/details/physicsofsemicon00szes\|publisher=John Wiley & Sons\|year=1981\|isbn=0-471-05661-8}} Discussion of theory plus device implications. * {{cite book\|last=Zangwill\|first=Andrew\|title=Physics at Surfaces\|url=https://archive.org/details/physicsatsurface0000zang\|publisher=Cambridge University Press\|year=1988\|isbn=0-521-34752-1}} Approaches contacts from point of view of surface states and reconstruction. == Lihat ~~pula~~bahan ==▼ * The [http://www.avs.org/ American Vacuum Society] has an excellent [http://www.avs.org/course.instructor.static.popup.aspx?FileName=semicontacts short course] {{Webarchive\|url=https://web.archive.org/web/20090522024721/http://www.avs.org/course.instructor.static.popup.aspx?FileName=semicontacts \|date=2009-05-22 }} on this topic. * [http://www.avs.org/literature.aspx Journal of the American Vacuum Society] {{Webarchive\|url=https://web.archive.org/web/20060207032647/http://www.avs.org/literature.aspx \|date=2006-02-07 }}, [http://www.elsevier.com/locate/issn/00406090 Thin Solid Films] and [http://www.electrochem.org/publications/jes/journal.htm Journal of the Electrochemical Society] are journals that publish current research on ohmic contacts. [[Kategori:Ilmu material]] ▲==Lihat pula== [[Kategori:Fisika benda terkondensasi]] * [[http://en.wiki-indonesia.club/wiki/Ohmic_contact]] [[Kategori:Semikonduktor]]