Programmable ROM: Perbedaan antara revisi
Konten dihapus Konten ditambahkan
Rescuing 6 sources and tagging 0 as dead.) #IABot (v2.0.8.6 |
RaFaDa20631 (bicara | kontrib) k Moving from Category:Penemuan Britania to Category:Reka cipta Britania Raya using Cat-a-lot |
||
| (4 revisi perantara oleh 4 pengguna tidak ditampilkan) | |||
Baris 1:
'''Programmble ROM''' ('''PROM''') adalah sebuah jenis memori digital, dimana keadaan setiap bit dalam memori dikunci oleh [[sekring]] atau [[antisekring]] (eFUSE/sekring elektronik juga dapat digunakan). Ini adalah salah satu jenis [[Memori hanya baca|memori hanya-baca]] (ROM). Data di dalam ROM jenis apapun permanen dan tidak dapat diubah. Memori PROM digunakan dalam perangkat elektronik digital untuk menyimpan data permanen, yang biasanya berupa program tingkat rendah, seperti [[Perangkat tegar|firmware]] atau [[kode mikro]]. Perbedaan utama antara PROM dan [[Memori hanya baca|ROM]] adalah penulisan data ke ROM terjadi selama produksi, sedangkan untuk PROM, pemrograman data terjadi setelah produksi. Oleh karena itu, ROM biasanya hanya digunakan untuk produksi skala besar dengan data yang telah diverifikasi dengan baik, sedangkan PROM digunakan untuk memungkinkan pengujian subset perangkat secara berurutan oleh perusahaan sebelum pembakaran data.
Baris 10:
Memori program hanya sekali (OTP/''one time programmable'') adalah jenis spesial memori non-volatil yang hanya memungkinkan penulisan data ke memori sekali. Setelah pemrograman data, memori mempertahankan isinya bahkan ketika kehilangan daya (non-volatil). Memori ini digunakan dalam aplikasi yang membutuhkan pembacaan data yang andal dan berulang. Misalnya, kode boot, kunci enkripsi, dan parameter konfigurasi untuk sirkuit analog, sensor, atau tampilan. OTP non-volatil memiliki luas struktur memori yang lebih kecil dan penggunaan listrik yang lebih sedikit daripada jenis memori non-volatil lain, seperti eFuse atau EEPROM. Oleh karena itu, banyak produk memakai memori OTP, mulai dari mikroprosesor, driver tampilan, hingga [[sirkuit terpadu]] manajemen daya (PMIC).
Susunan memori semikonduktor OTP berbasis antisekring tersedia di pasar setidaknya sejak 1969. Awalnya, sel bit antisekring bergantung pada peledakan kapasitor antara jalur konduktif yang menyilang. [[Texas Instruments]] mengembangkan antisekring MOS pemecah [[gerbang oksida]] pada tahun 1979.<ref>See [http://patimg2.uspto.gov/.piw?Docid=4184207&idkey=NONE US Patent 4184207] {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20180427183945/http://patimg2.uspto.gov/.piw?Docid=4184207&idkey=NONE |date=2018-04-27 }} - High density floating gate electrically programmable ROM, and [http://patimg2.uspto.gov/.piw?Docid=4151021&idkey=NONE US Patent 4151021] {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20180427092847/http://patimg2.uspto.gov/.piw?Docid=4151021&idkey=NONE |date=2018-04-27 }}Diarsipkan pada di - Method of making a high density floating gate electrically programmable ROM</ref> Antisekring MOS gerbang oksida ganda dua transistor (2T) diperkenalkan pada tahun 1982.<ref>[http://www.chipestimate.com/techtalk/techtalk_071218.html Chip Planning Portal]. ChipEstimate.com. Retrieved on 2013-08-10.</ref> Teknologi pemecahan oksida awal memiliki berbagai masalah pembesaran skala, pemrograman, ukuran, dan produksi yang mencegah produksi skala besar perangkat memori yang menggunakan teknologi ini.
Walaupun PROM berbasis antisekring ada selama beberapa dekade, sebelum 2001, [[CMOS]] umum tidak memilikinya. Pada tahun itu, Kilopass Technology Inc. mematenkan teknologi sel bit antisekring 1T, 2T, dan 3,5T, yang menggunakan proses CMOS biasa. Ini memungkinkan adanya memori PROM dalam chip logika CMOS. Proses node antisekring pertama yang dapat diterapkan dalam chip CMOS umum adalah proses node 0,18 µm. Langkah-langkah difusi spesial untuk membuat elemen pemrograman antisekring tidak diperlukan, karena ambang pemecahan gerbang oksida lebih rendah daripada ambang pemecahan persimpangan. Pada tahun 2005, perangkat antisekring saluran terpisah<ref>Lihat [http://patimg2.uspto.gov/.piw?Docid=7402855&idkey=NONE Paten AS 7402855] {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20150904051044/http://patimg2.uspto.gov/.piw?Docid=7402855&idkey=NONE |date=2015-09-04 }} perangkat antisekring saluran terpisah</ref> diperkenalkan oleh Sidense. Dalam sel bit saluran terpisah, perangkat (gerbang) oksida tebal (IO) dan tipis digabungkan menjadi sebuah transistor (1T) dengan gerbang [[Silikon polikristal|polisilikon]] umum.
== Pemrograman ==
[[Berkas:ANT_Nachrichtentechnik_DBT-03_-_Texas_Instruments_TBP18SA030N-0019.jpg|jmpl|
Dalam PROM baru biasa, semua bit di dalamnya dibaca sebagai "1". Membakar bit sekring ketika menjalani proses pemrograman "meledakkan" sekring, yang menyebabkan bit-bit dalam PROM dibaca sebagai "0". Proses "peledakan" sekring tidak dapat dikembalikan. Beberapa chip PROM dapat diprogram ulang jika data barunya menggantikan bit-bit "1" dengan "0". Beberapa set instruksi CPU (seperti MOS Technology 6502) memanfaatkan ini dengan mendefinisikan instruksi ''break'' (BRK) dengan kode operasi '00'. Jika ada instruksi yang salah, itu bisa "diprogram ulang" ke BRK yang menyebabkan CPU memindahkan kendali ke sebuah patch. Ini akan mengeksekusi instruksi yang benar dan akan kembali ke instruksi setelah BRK.
Baris 21:
== Catatan ==
== Referensi ==
* [[iarchive:
* [https://www.intel-vintage.info/intelmemory.htm Lembar data Intel PROM] - intel-vintage.info
* Lihat Paten "Switch Matrix" [http://patimg2.uspto.gov/.piw?Docid=03028659&idkey=NONE AS #3028659 di Kantor Paten AS] {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20151016080757/http://patimg2.uspto.gov/.piw?Docid=03028659&idkey=NONE |date=2015-10-16 }} atau [http://www.google.com/patents?id=ydtHAAAAEBAJ Google]
Baris 37:
* [http://www.righto.com/2019/07/looking-inside-1970s-prom-chip-that.html Melihat ke dalam chip PROM tahun 1970-an yang menyimpan data dalam sekring mikroskopis] - menampilkan cetakan PROM 256x4 MMI 5300
[[Kategori:Memori komputer]]
[[Kategori:Memori non-volatil]]
[[Kategori:
[[Kategori:Penemuan terkait komputer tahun 1956]]
| |||