Logika nMOS: Perbedaan antara revisi
Konten dihapus Konten ditambahkan
k Bot: Perubahan kosmetika |
|||
| (12 revisi perantara oleh 7 pengguna tidak ditampilkan) | |||
Baris 1:
{{Infobox komponen elektronik
|nama_komponen=logika nMOS
|foto=[[Berkas:NMOS NOR WITH RESISTIVE LOAD.PNG|225px]]
|judul_foto=Skema gerbang NOR nMOS sederhana
|tipe=[[rangkaian terintegrasi]]
|kategori=[[gerbang logika]]
|komponen_sejenis=[[DL]], [[RTL]], [[DTL]], [[TTL]], [[ECL]], [[I2L]], [[CMOS]]
|pembuatan_pertama=
|simbol=bervariasi
|konfigurasi_kaki=biasanya DIL 8-14 Pin 0,1 in}}
'''Logika nMOS''' adalah gerbang logika yang menggunakan transistor efek medan semikonduktor oksida logam (MOSFET) untuk membentuk fungsi gerbang logika dan sirkuit digital lainnya.
MOSFET tipe-n disusun dalam bentuk
[[
Sebagai contoh adalah gerbang NOR logika nMOS. Jika masukan A atau masukan B tinggi (logika 1), transistor MOS yang bersangkutan berperan sebagai resistansi rendah
{| class="wikitable"
Baris 17 ⟶ 27:
Walaupun gerbang logika nMOS mudah didesain dan dibuat (sebuah MOSFET dapat dioperasikan sebagai resistor, jadi sirkuit dapat dibuat hanya dari nMOSFETs), ini mempunyai beberapa kekurangan. Problem terburuk adalah arus yang mengalir dalam gerbang logika nMOS ketika keluaran rendah, yaitu ketika jaringan PDN is active. Ini menyebabkan borosan daya statis bahkan saat sirkuit dalam keadaan siaga.
Selain itu sirkuit nMOS mempunyai transisi rendah-ke-tinggi yang lambat. Ketika keluaran berubah dari tinggi ke rendah, transistor memberikan resistansi rendah, dan muatan kapasitif pada keluaran dapat dibuang dengan berat. Tetapi saat berubah dari rendah ke tinggi, resistansi
Selain itu, level masukan logika yang taksimetris membuat sirkuit nMOS lebih rentan terhadap desah.
Kerugian tersebut merupakan alasan mengapa logika nMOS digantikan oleh logika [[CMOS]] baik pada sirkuit daya-rendah maupun sirkuit kecepatan-tinggi, seperti pada [[mikroprosesor]].
▲*[[Gerbang logika]]
[[Kategori:Gerbang
| |||