Transistor dwikutub gerbang-terisolasi: Perbedaan antara revisi
Konten dihapus Konten ditambahkan
k Membatalkan 1 suntingan oleh 114.125.215.11 (bicara) ke revisi terakhir oleh XXBlackburnXx Tag: Pembatalan |
|||
| (9 revisi perantara oleh 6 pengguna tidak ditampilkan) | |||
Baris 9:
|penemu=
|pembuatan_pertama=
|simbol=[[Berkas:Transistor IGBT.png|
|susunan_kaki=3 kaki (gerbang, kolektor, emitor)
|fungsi=
|keterangan=
}}
[[Berkas:IGBT cross section.svg|
'''Transistor dwikutub gerbang-terisolasi''' (''IGBT = insulated
Sesuai dengan namanya, peranti baru ini merupakan peranti yang menggabungkan struktur dan sifat-sifat dari kedua jenis transistor tersebut di atas, BJT dan MOSFET. Dengan kata lain, IGBT mempunyai sifat kerja yang menggabungkan keunggulan sifat-sifat kedua jenis transistor tersebut. Saluran gerbang dari IGBT, sebagai saluran kendali juga mempunyai struktur bahan penyekat ([[isolator]]) sebagaimana pada MOSFET.
Masukan dari IGBT adalah terminal ''Gerbang'' dari MOSFET, sedang terminal ''Sumber'' dari MOSFET terhubung ke terminal ''Basis'' dari BJT. Dengan demikian, [[arus cerat]] keluar dan dari MOSFET akan menjadi [[arus basis]] dari BJT. Karena besarnya [[tahanan listrik|resistansi]] masukan dari MOSFET, maka terminal masukan IGBT hanya akan menarik [[arus listrik|arus]] yang kecil dari sumber. Di pihak lain, arus cerat sebagai arus keluaran dari MOSFET akan cukup besar untuk membuat BJT mencapai keadaan [[jenuh]]. Dengan gabungan sifat kedua unsur tersebut, IGBT mempunyai perilaku yang cukup ideal sebagai sebuah [[saklar]] elektronik. Di satu pihak IGBT tidak terlalu membebani sumber, di pihak lain mampu menghasilkan arus yang besar bagi beban listrik yang dikendalikannya.
Terminal masukan IGBT mempunyai nilai [[impedansi]] yang sangat tinggi, sehingga tidak membebani rangkaian pengendalinya yang umumnya terdiri dari [[rangkaian logika]]. Ini akan menyederhanakan rancangan rangkaian pengendali dan penggerak dari IGBT.
Di samping itu, kecepatan pensaklaran IGBT juga lebih tinggi dibandingkan peranti BJT, meskipun lebih rendah dari peranti MOSFET yang setara. Di lain pihak, terminal keluaran IGBT mempunyai sifat yang menyerupai terminal keluaran (kolektor-emitor) BJT. Dengan kata lain, pada saat keadaan menghantar, nilai resistansi-hidup (<math>R_{on}</math>) dari IGBT sangat kecil, menyerupai <math>R_{on}</math> pada BJT.
Dengan demikian bila [[tegangan jatuh]] serta borosan dayanya pada saat keadaan menghantar juga kecil. Dengan sifat-sifat seperti ini, IGBT akan sesuai untuk dioperasikan pada arus yang besar, hingga ratusan [[Ampere]], tanpa terjadi kerugian [[daya]] yang cukup berarti. IGBT sesuai untuk aplikasi pada perangkat ''[[Inverter]]'' maupun [[Kendali Motor Listrik]] (''Drive'').
Komponen utama di dalam aplikasi [[elekronika daya]] dewasa ini adalah [[saklar]] peranti padat yang diwujudkan dengan peralatan [[semikonduktor]] seperti transistor dwikutub (BJT), transistor efek medan (FET), maupun [[Thyristor]]. Sebuah saklar ideal di dalam penggunaan elektronika daya akan mempunyai sifat-sifat sebagai berikut:
# pada saat keadaan tidak menghantar (off), saklar mempunyai tahanan yang besar sekali, mendekati nilai tak berhingga. Dengan kata lain, nilai arus bocor struktur saklar sangat kecil
# Sebaliknya, pada saat keadaan menghantar (on), saklar mempunyai tahanan menghantar (<math>R_{on}</math>) yang sekecil mungkin. Ini akan membuat nilai tegangan jatuh (''voltage drop'') keadaan menghantar juga sekecil mungkin, demikian pula dengan besarnya borosan daya yang terjadi, dan kecepatan pensaklaran yang tinggi.
* Sifat nomor (1) umumnya dapat dipenuhi dengan baik oleh semua jenis peralatan semikonduktor yang disebutkan di atas, karena peralatan semikonduktor komersial pada umumnya mempunyai nilai arus bocor yang sangat kecil.
* Untuk sifat nomor (2), BJT lebih unggul dari MOSFET, karena tegangan jatuh pada terminal kolektor-emitor, VCE pada keadaan menghantar (on) dapat dibuat sekecil mungkin dengan membuat transitor BJT berada dalam keadaan jenuh.
▲* Untuk sifat nomor (2), BJT lebih unggul dari MOSFET, karena tegangan jatuh pada terminal kolektor-emitor, VCE pada keadaan menghantar (on) dapat dibuat sekecil mungkin dengan membuat transitor BJT berada dalam keadaan jenuh.
* Sebaliknya, untuk unsur kinerja nomor (3) yaitu kecepatan pensakelaran, MOSFET lebih unggul dari BJT, karena sebagai peranti yang bekerja berdasarkan aliran pembawa muatan mayoritas, pada MOSFET tidak dijumpai arus penyimpanan pembawa muatan minoritas pada saat proses pensaklaran, yang cenderung memperlamnat proses pensaklaran tersebut.
{{transistor}}
[[Kategori:
| |||