Dioda laser: Perbedaan antara revisi
Konten dihapus Konten ditambahkan
k robot Adding: ru |
Tidak ada ringkasan suntingan |
||
| (40 revisi perantara oleh 28 pengguna tidak ditampilkan) | |||
Baris 1:
[[Berkas:LASER.jpg|jmpl|Dioda laser]]
'''Dioda laser''' adalah sejenis [[
[[Berkas:Diode laser.jpg|jmpl|Sebuah sioda laser dengan perbandingan ukurannya terhadap uang sen US]]
Dioda laser baru ditemukan pada akhir abad ini oleh ilmuwan [[Universitas Harvard]]. Prinsip kerja dioda ini sama seperti
# ''biased forward'', arus dihasilkan searah dengan nilai 0,707 utk pembagian v puncak, bentuk gelombang di atas ( + ).
# ''backforward biased'', ini merupakan tegangan berbalik yang dapat merusak suatu komponen elektronika.
==Bacaan lanjutan==
* B. Van Zeghbroeck's ''Principles of Semiconductor Devices''( for direct and indirect band gaps)
* Saleh, Bahaa E. A. and Teich, Malvin Carl (1991). ''Fundamentals of Photonics''. New York: John Wiley & Sons. {{ISBN|0-471-83965-5}}. ( For Stimulated Emission )
[[Category:Laser]]▼
* Koyama et al., Fumio (1988), "Room temperature cw operation of GaAs vertical cavity surface emitting laser", Trans. IEICE, E71(11): 1089–1090( for VCSELS)
* Iga, Kenichi (2000), "Surface-emitting laser—Its birth and generation of new optoelectronics field", IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics 6(6): 1201–1215(for VECSELS)
* [[F. J. Duarte|Duarte, F. J.]] (2016), "Broadly tunable dispersive external-cavity semiconductor lasers", in ''Tunable Laser Applications''. New York: CRC Press. {{ISBN|9781482261066}}. [http://www.tunablelasers.com/tla.htm pp. 203–241] (For external cavity Diode lasers).
{{elektronik-stub}}
[[
| |||