CMOS: Perbedaan antara revisi
Konten dihapus Konten ditambahkan
Tidak ada ringkasan suntingan Tag: Dikembalikan Suntingan perangkat seluler Suntingan peramban seluler |
Menolak 6 perubahan teks terakhir (oleh 182.1.114.92, AABot, Me iwan, Masgatotkaca, 116.206.40.5 dan 202.67.46.232) dan mengembalikan revisi 13344862 oleh HsfBot Tag: Pengembalian manual |
||
Baris 1:
[[Berkas:CMOS Inverter.svg|jmpl|ka|Inverter CMOS statis ]]
'''Complementary metal–oxide–semiconductor''' ('''CMOS''') atau semikonduktor–oksida–logam komplementer, adalah sebuah jenis utama dari rangkaian terintegrasi. Teknologi CMOS digunakan di mikroprosesor, pengontrol mikro, RAM statis, dan sirkuit logika digital lainnya. Teknologi CMOS juga digunakan dalam banyak sirkuit analog, seperti sensor gambar, pengubah data, dan trimancar terintegrasi untuk berbagai jenis komunikasi. [[Frank Wanlass]] berhasil mematenkan CMOS pada tahun 1967 (US Patent 3,356,858).
CMOS juga sering disebut ''complementary-symmetry metal–oxide–semiconductor or COSMOS'' (semikonduktor–logam–oksida komplementer-simetris).
Kata komplementer-simetris merujuk pada kenyataan bahwa biasanya desain digital berbasis CMOS menggunakan pasangan komplementer dan simetris dari MOSFET semikonduktor tipe-p dan semikonduktor tipe-n untuk fungsi logika.
Dua karakter penting dari CMOS adalah kekebalan desahnya yang tinggi dan penggunaan daya statis yang rendah. Daya hanya diambil saat transistor dalam CMOS berpindah di antara kondisi hidup dan mati. Akibatnya, peranti CMOS tidak menimbulkan bahang sebanyak sirkuit logika lainnya, seperti logika transistor-transistor (TTL) atau logika NMOS, yang hanya menggunakan peranti tipe-n tanpa tipe-p.
Kalimat "metal–oxide–semiconductor" atau semikonduktor–logam–oksida adalah sebuah sebutan pada struktur fisik beberapa transistor efek medan, memiliki gerbang elektrode logam yang terletak di atas isolator oksida logam, yang juga berada di atas bahan semikonduktor. Aluminium digunakan pertama kali, tetapi sekarang digunakan bahan polisilikon. Gerbang logam lain dibuat seiring kedatangan material dielektrik permitivitas tinggi di dalam proses pembuatan CMOS, seperti yang diumumkan oleh IBM dan Intel untuk node [[45 nanometer]] dan lebih kecil <ref>[http://www.intel.com/technology/architecture-silicon/45nm-core2/index.htm Intel 45nm Hi-k Silicon Technology]</ref>.
== Detail teknis ==
Baris 62 ⟶ 66:
* [[MOSFET]]
* [[logika]]
== Bacaan lanjut ==
| |||