Transistor sambungan dwikutub: Perbedaan antara revisi
Konten dihapus Konten ditambahkan
Wagino Bot (bicara | kontrib) k →Teknik produksi: minor cosmetic change |
|||
Baris 101:
=== Teknik produksi ===
Berbagai motoda untuk memproduksi transistor pertemuan dwikutub telah dikembangkan<ref>[http://hm-treasury.gov.uk/media/B/C/queen_mary_ip_research_institute_p5_043_762kb.pdf Third case study – the solid state advent] (PDF)</ref>.
* [[Transistor pertemuan tumbuh]], teknik pertama untuk memproduksi transistor pertemuan dwikutub<ref>[http://semiconductormuseum.com/PhotoGallery/PhotoGallery_M1752.htm TRANSISTOR MUSEUM Historic Transistor Photo Gallery '''BELL LABS TYPE M1752''']</ref>. Diciptakan oleh [[William Shockley]] di [[Bell Labs]] pada [[23 Juni]] [[1948]]<ref>{{cite book|last=Morris|first=Peter Robin|
* [[Transistor pertemuan]], butiran paduan emitor dan kolektor dilelehkan ke basis. Dikembangkan oleh [[General Electric]] dan [[RCA]]<ref>[http://semiconductormuseum.com/PhotoGallery/PhotoGallery_TA153.htm TRANSISTOR MUSEUM Historic Transistor Photo Gallery '''RCA TA153''']</ref> in 1951.
** [[Transistor paduan mikro]], tipe kecepatan tinggi dari transistor pertemuan paduan. Dikembangkan oleh [[Philco]]<ref>{{cite book
|