Transistor dwikutub gerbang-terisolasi: Perbedaan antara revisi
Konten dihapus Konten ditambahkan
k Clean up, replaced: piranti → peranti using AWB |
k Bot: Perubahan kosmetika |
||
Baris 32:
=== Sifat-sifat IGBT ===
Komponen utama di dalam aplikasi [[elekronika daya]] dewasa ini adalah [[saklar]] peranti padat yang diwujudkan dengan peralatan [[semikonduktor]] seperti transistor dwikutub (BJT), transistor efek medan (FET), maupun [[Thyristor]]. Sebuah saklar ideal di dalam penggunaan elektronika daya akan mempunyai sifat-sifat sebagai berikut:
# pada saat keadaan tidak menghantar (off), saklar mempunyai tahanan yang besar sekali, mendekati nilai tak berhingga. Dengan kata lain, nilai arus bocor struktur saklar sangat kecil
# Sebaliknya, pada saat keadaan menghantar (on), saklar mempunyai tahanan menghantar (<math>R_{on}</math>) yang sekecil mungkin. Ini akan membuat nilai tegangan jatuh (''voltage drop'') keadaan menghantar juga sekecil mungkin, demikian pula dengan besarnya borosan daya yang terjadi, dan kecepatan pensaklaran yang tinggi.
| |||