Transistor efek–medan: Perbedaan antara revisi
Konten dihapus Konten ditambahkan
k Clean up, replaced: metoda → metode using AWB |
k Bot: penggantian teks otomatis, (-masal +massal) |
||
Baris 12:
'''Transistor efek–medan''' (FET) adalah salah satu jenis [[transistor]] menggunakan [[medan listrik]] untuk mengendalikan [[konduktifitas]] suatu kanal dari jenis pembawa muatan tunggal dalam bahan [[semikonduktor]]. FET kadang-kadang disebut sebagai transistor ekakutub untuk membedakan operasi pembawa muatan tunggal yang dilakukannya dengan operasi dua pembawa muatan pada [[transistor dwikutub]] (BJT).
== Sejarah ==
Transistor efek–medan diciptakan oleh [[Julius Edgar Lilienfeld]] pada tahun 1925 dan oleh [[Oskar Heil]] pada tahun 1934, tetapi peranti praktis tidak dibuat secara
== Saluran ==
| |||