Transistor sambungan dwikutub: Perbedaan antara revisi
Konten dihapus Konten ditambahkan
k Bot: Perubahan kosmetika |
k Bot: penggantian teks otomatis, (-masal +massal) |
||
Baris 113:
** [[Transistor basis terdifusi]], implementasi pertama dari transistor difusi.
** [[Transistor Mesa]], dikembangkan oleh [[Texas Instruments]] pada tahun [[1957]].
** [[Transistor planar]], teknik produksi yang memungkinkan produksi sirkuit terpadu monolitik secara
* [[Transistor epitaksial]]<ref>http://www.computerhistory.org/semiconductor/timeline/1960-Epitaxial.html</ref>, transistor pertemuan dwikutub yang dibuat menggunakan deposisi fase uap [[epitaksi]]. Memungkinkan pengendalian tingkat pengotoran dan gradien secara teliti.
| |||