Transistor dwikutub gerbang-terisolasi: Perbedaan antara revisi
Konten dihapus Konten ditambahkan
k Bot: Perubahan kosmetika |
k Bot: Perubahan kosmetika |
||
Baris 9:
|penemu=
|pembuatan_pertama=
|simbol=[[Berkas:Transistor IGBT.png|
|susunan_kaki=3 kaki (gerbang, kolektor, emitor)
|fungsi=
|keterangan=
}}
[[Berkas:IGBT cross section.svg|
'''Transistor dwikutub gerbang-terisolasi''' (''IGBT = insulated gate bipolar transistor'') adalah peranti [[semikonduktor]] yang setara dengan gabungan sebuah [[BJT]] dan sebuah [[MOSFET]]. Jenis peranti baru yang berfungsi sebagai komponen [[saklar]] untuk aplikasi daya ini muncul sejak tahun 1980-an.
| |||