Transistor dwikutub gerbang-terisolasi: Perbedaan antara revisi

'''Transistor dwikutub gerbang-terisolasi''' (''IGBT = insulated gate bipolar transistor'') adalah peranti [[semikonduktor]] yang setara dengan gabungan sebuah [[BJT]] dan sebuah [[MOSFET]]. Jenis peranti baru yang berfungsi sebagai komponen [[saklar]] untuk aplikasi daya ini muncul sejak tahun 1980-an.

 

 

Sesuai dengan namanya, peranti baru ini merupakan peranti yang menggabungkan struktur dan sifat-sifat dari kedua jenis transistor tersebut di atas, BJT dan MOSFET. Dengan kata lain, IGBT mempunyai sifat kerja yang menggabungkan keunggulan sifat-sifat kedua jenis transistor tersebut. Saluran gerbang dari IGBT, sebagai saluran kendali juga mempunyai struktur bahan penyekat ([[isolator]]) sebagaimana pada MOSFET.

Dengan demikian bila [[tegangan jatuh]] serta borosan dayanya pada saat keadaan menghantar juga kecil. Dengan sifat-sifat seperti ini, IGBT akan sesuai untuk dioperasikan pada arus yang besar, hingga ratusan [[Ampere]], tanpa terjadi kerugian [[daya]] yang cukup berarti. IGBT sesuai untuk aplikasi pada perangkat ''[[Inverter]]'' maupun [[Kendali Motor Listrik]] (''Drive'').

 

 

Komponen utama di dalam aplikasi [[elekronika daya]] dewasa ini adalah [[saklar]] peranti padat yang diwujudkan dengan peralatan [[semikonduktor]] seperti transistor dwikutub (BJT), transistor efek medan (FET), maupun [[Thyristor]]. Sebuah saklar ideal di dalam penggunaan elektronika daya akan mempunyai sifat-sifat sebagai berikut: