Semikonduktor: Perbedaan antara revisi
Konten dihapus Konten ditambahkan
Yyudhistira (bicara | kontrib) k tambah kategori:Semikonduktor |
Yyudhistira (bicara | kontrib) tambahan seksi Persiapan bahan semikonduktor |
||
Baris 32:
When a semiconductor is doped, its majority carrier concentration exceeds the intrinsic carrier concentration by a factor that is dependent on the doping level. However, the product of the majority and minority carrier concentrations continues to be equal to the square of the intrisic carrier concentration. For example, consider an intrinsic semiconductor at a temperature such that its carrier concentration (hole and electron) is 10<sup>13</sup>/cm<sup>3</sup>. If this is n-doped to 10<sup>16</sup>/cm<sup>3</sup>, then the hole concentration will be 10<sup>10</sup>/cm<sup>3</sup>. It also follows from this that minority carrier concentrations in doped semiconductors are dependent on temperature to the square of the extent that carrier concentrations in intrinsic semiconductors are, since the majority carrier concentration is effectively fixed at the doping level.
-->
== Persiapan bahan semikonduktor ==
Semikonduktor dengan properti elektronik yang dapat diprediksi dan handal diperlukan untuk [[produksi massa]]. Tingkat kemurnian kimia yang diperlukan sangat tinggi karena adanya ketidaksempurnaan, bahkan dalam proporsi sangat kecil dapat memiliki efek besar pada properti dari material. Kristal dengan tingkat kesempurnaan yang tinggi juga diperlukan, karena kesalahan dalam struktur kristal (seperti [[dislokasi]], [[kembaran]], dan [[retak tumpukan]]) menganggu properti semikonduktivitas dari material. Retakan kristal merupakan penyebab utama rusaknya perangkat semikonduktor. Semakin besar kristal, semakin sulit mencapai kesempurnaan yang diperlukan. Proses produksi massa saat ini menggunakan [[ingot]] (bahan dasar) kristal dengan diameter antara empat hingga dua belas inci (300 mm) yang ditumbuhkan sebagai silinder kemudian diiris menjadi [[wafer]].
Karena diperlukannya tingkat kemurnian kimia dan kesempurnaan struktur kristal untuk membuat perangkat semikonduktor, metode khusus telah dikembangkan untuk memproduksi bahan semikonduktor awal. Sebuah teknik untuk mencapai kemurnian tinggi termasuk pertumbuhan kristal menggunakan [[proses Czochralski]]. Langkah tambahan yang dapat digunakan untuk lebih meningkatkan kemurnian dikenal sebagai [[perbaikan zona]]. Dalam [[perbaikan zona]], sebagian dari kristal padat dicairkan. Impuritas cenderung berkonsentrasi di daerah yang dicairkan, sedangkan material yang diinginkan mengkristal kembali sehingga menghasilkan bahan lebih murni dan kristal dengan lebih sedikit kesalahan.
Dalam pembuatan perangkat semikonduktor yang melibatkan [[heterojunction]] antara bahan-bahan semikonduktor yang berbeda, [[konstanta kisi]], yaitu panjang dari struktur kristal yang berulang, penting untuk menentukan kompatibilitas antar bahan.
== Lihat pula ==
| |||