Sawar Schottky: Perbedaan antara revisi

Hambatan Schottky, diambil dari nama Walter H. Schottky, merupakan hambatan potensial dibentuk pada persimpangan logam-semikonduktor yang memiliki karakteristik lebih baik. Perbedaan terbesar antara hambatan Schottky dan persimpangan p-n yang biasanya mempunyai tegangan lebih rendah.

 

Hambatan Schottky karbon nanotube menggunakan kontak nonideal antara logam dan karbon nanotube (CNT) untuk membentuk sebuah hambatan Schottky yang dapat digunakan untuk membuat dioda Schottky atau transistor, dan sebagainya. Karbon nanotube dapat menjadi alternatif yang praktis untuk perangkat biasa karena ukurannya yang kecil, sifat unik mekanis dan elektronik.