Revisi per 25 Desember 2008 10.31 sunting Erlinawati (bicara \| kontrib) 11 suntingan Tidak ada ringkasan suntingan ← Revisi sebelumnya		Revisi per 25 Desember 2008 10.36 sunting balikkan Sutrisnohadi (bicara \| kontrib) 12 suntingan Tidak ada ringkasan suntingan Revisi selanjutnya →
Baris 1: '''Sawar Schottky''' atau '''Hambatan Schottky''', diambil dari nama [[Walter H. Schottky]], merupakan hambatan potensial dibentuk pada persimpangan antara logam-semikonduktor yang memiliki karakteristik lebih baik. Perbedaan terbesar antara hambatan Schottky dan persimpangan p-n yaitu terletak pada tegangannya. Tidak semua persimpangan antara logam-semikonduktor akan membentuk hambatan Schottky. Persimpangan antara logam-semikonduktor yang tidak memperbaiki disebut sambungan [[ohmic]]. Sifat yang lebih baik tergantung pada fungsi kerja logam, celah intrinsik [[semikonduktor]], jenis, dan konsentrasi [[dopants]] dalam semikonduktor, dan faktor lainnya. Rancangan semikonduktor memerlukan perangkat yang sesuai dengan efek Schottky untuk memastikan hambatan Schottky tidak dihasilkan memerlukan sebuah sambungan ohmic. == Manfaat == Hambatan Schottky, dengan tegangan yang lebih rendah digunakan yang dalam suatu persimpangan, ~~dimana~~seperti dioda normal, [[transistors]], dapat digunakan untuk perlindungan sirkuit. == Alat ==

Sawar Schottky: Perbedaan antara revisi