Deposisi uap kimia metal organik: Perbedaan antara revisi

'''Deposisi Fasa Uap Kimia Metalorganik''' ('''<span lang="en" dir="ltr">MOCVD</span>''')''',''' juga dikenal sebagai '''Epitaksi Fasa Uap Organometalik''' ('''<span lang="en" dir="ltr">OMVPE</span>''') atau '''Epitaksi Fasa Uap Metalorganik''' ('''<span lang="en" dir="ltr">MOVPE</span>'''),<ref>{{Cite web|date=2013-11-03|title=MOCVD Epitaxy (OMVPE, MOVPE, OMCVD) & Crystal Growth|url=https://web.archive.org/web/20131103075508/http://pureguard.net/cm/Application_Wizard/MOCVD_Epitaxy.html|website=web.archive.org|access-date=2024-03-17}}</ref> adalah suatu teknik yang digunakan dalam [[fabrikasi semikonduktor]] untuk membuat lapisan tipis material [[semikonduktor]] seperti [[Galium arsenida|gallium arsenida (GaAs)]], [[Indium gallium arsenida|indium gallium arsenida (InGaAs)]], dan sejenisnya. Teknik ini melibatkan proses kimia di mana bahan kimia [[organometalik]] (zat kimia yang mengandung logam dan [[karbon]]) diuapkan pada suhu tinggi dan diarahkan menuju [[Substrat (kimia)|substrat]] yang dipanaskan. Proses ini biasanya dilakukan di dalam ruang reaksi yang terkendali dengan [[Atmosfer (satuan)|atmosfer]] gas tertentu.

Ini pertama kali ditunjukkan pada tahun 1967 di Divisi [[Autonetics]] North American Aviation (kemudian [[Rockwell International]]) di [[Anaheim, California]] oleh [[Harold M. Manasevit.]]

[[Kategori:Fabrikasi alat semikonduktor]]

[[Kategori:Pengendapan lapisan tipis]]