Revisi per 24 November 2011 15.32 sunting Kenrick95Bot (bicara \| kontrib) Bot 692.563 suntingan k Bot: Penggantian teks otomatis (-diatas +di atas) ← Revisi sebelumnya		Revisi per 17 Januari 2012 04.57 sunting balikkan ArdBot (bicara \| kontrib) Bot, Pengecualian blokir IP 25.295 suntingan k Bot: Penggantian teks otomatis (-elektroda +elektrode) Revisi selanjutnya →
Baris 7: Dua karakter penting dari CMOS adalah kekebalan desahnya yang tinggi dan penggunaan daya statis yang rendah. Daya hanya diambil saat transistor dalam CMOS berpindah di antara kondisi hidup dan mati. Akibatnya, peranti CMOS tidak menimbulkan bahang sebanyak sirkuit logika lainnya, seperti logika transistor-transistor (TTL) atau logika NMOS, yang hanya menggunakan peranti tipe-n tanpa tipe-p. CMOS juga memungkinkan chip logika dengan kepadatan tinggi dibuat. Kalimat "metal–oxide–semiconductor" atau semikonduktor–logam–oksida adalah sebuah sebutan pada struktur fisik beberapa transistor efek medan, memiliki gerbang ~~elektroda~~elektrode logam yang terletak di atas isolator oksida logam, yang juga berada di atas bahan semikonduktor. Aluminium digunakan pertama kali, tetapi sekarang digunakan bahan polisilikon. Gerbang logam lain dibuat seiring kedatangan material dielektrik permitivitas tinggi di dalam proses pembuatan CMOS, seperti yang diumumkan oleh IBM dan Intel untuk node [[45 nanometer]] dan lebih kecil <ref>[http://www.intel.com/technology/architecture-silicon/45nm-core2/index.htm Intel 45nm Hi-k Silicon Technology]</ref>. == Detail teknis ==

CMOS: Perbedaan antara revisi