Revisi per 1 Oktober 2015 01.09 sunting Hidayatsrf (bicara \| kontrib) Pengurus antarmuka, Pengurus 25.015 suntingan k ←Suntingan 36.80.134.225 (bicara) dibatalkan ke versi terakhir oleh JThorneBOT ← Revisi sebelumnya		Revisi per 6 Januari 2016 04.54 sunting balikkan Rachmat-bot (bicara \| kontrib) Bot 110.443 suntingan k Bot: Penggantian teks otomatis (-dimana +di mana); perubahan kosmetik Revisi selanjutnya →
Baris 1: '''Transistor''' adalah [[alat semikonduktor]] yang dipakai sebagai penguat, sebagai sirkuit pemutus dan penyambung (switching), stabilisasi tegangan, modulasi sinyal atau sebagai fungsi lainnya. Transistor dapat berfungsi semacam kran listrik, ~~dimana~~di mana berdasarkan arus inputnya (BJT) atau tegangan inputnya (FET), memungkinkan pengaliran listrik yang sangat akurat dari sirkuit sumber listriknya. [[Berkas:Transistor-photo.JPG\|right\|thumb\|250px\|Transistor through-hole (dibandingkan dengan pita ukur [[sentimeter]])]] Baris 18: Dalam tabung hampa, pembawa muatan (elektron) akan dipancarkan oleh [[emisi thermionic]] dari sebuah [[katode]] yang dipanaskan oleh kawat filamen. Karena itu, tabung hampa tidak bisa membuat pembawa muatan positif (hole). Dapat dilihat bahwa pembawa muatan yang bermuatan sama akan saling tolak menolak, sehingga tanpa adanya gaya yang lain, pembawa-pembawa muatan ini akan terdistribusi secara merata di dalam materi semikonduktor. Namun di dalam sebuah transistor bipolar (atau diode junction) ~~dimana~~di mana sebuah semikonduktor tipe-p dan sebuah semikonduktor tipe-n dibuat dalam satu keping silikon, pembawa-pembawa muatan ini cenderung berpindah ke arah sambungan P-N tersebut (perbatasan antara semikonduktor tipe-p dan tipe-n), karena tertarik oleh muatan yang berlawanan dari seberangnya. Kenaikan dari jumlah pencemar (doping level) akan meningkatkan konduktivitas dari materi semikonduktor, asalkan tata-letak kristal silikon tetap dipertahankan. Dalam sebuah transistor bipolar, daerah terminal emiter memiliki jumlah doping yang lebih besar dibandingkan dengan terminal basis. Rasio perbandingan antara doping emiter dan basis adalah satu dari banyak faktor yang menentukan sifat penguatan arus (current gain) dari transistor tersebut. Baris 31: Transistor bipolar dinamakan demikian karena kanal konduksi utamanya menggunakan dua polaritas pembawa muatan: elektron dan lubang, untuk membawa arus listrik. Dalam BJT, arus listrik utama harus melewati satu daerah/lapisan pembatas dinamakan [[depletion zone]], dan ketebalan lapisan ini dapat diatur dengan kecepatan tinggi dengan tujuan untuk mengatur aliran arus utama tersebut. FET (juga dinamakan transistor unipolar) hanya menggunakan satu jenis pembawa muatan (elektron atau hole, tergantung dari tipe FET). Dalam FET, arus listrik utama mengalir dalam satu kanal konduksi sempit dengan depletion zone di kedua sisinya (dibandingkan dengan transistor bipolar ~~dimana~~di mana daerah Basis memotong arah arus listrik utama). Dan ketebalan dari daerah perbatasan ini dapat diubah dengan perubahan tegangan yang diberikan, untuk mengubah ketebalan kanal konduksi tersebut. Lihat artikel untuk masing-masing tipe untuk penjelasan yang lebih lanjut. == Jenis-jenis transistor == Baris 40: \| [[Berkas:BJT symbol NPN.svg\|45px]] \|\| NPN \|\| [[Berkas:JFET symbol N.png]] \|\| N-channel \|- align = "center" \| BJT \|\| \|\| JFET \|\| {{float_end\|caption=Simbol Transistor dari Berbagai Tipe}}

Transistor: Perbedaan antara revisi