Boron: Perbedaan antara revisi
Konten dihapus Konten ditambahkan
Wiz Qyurei (bicara | kontrib) Tidak ada ringkasan suntingan Tag: Suntingan perangkat seluler Suntingan peramban seluler Suntingan seluler lanjutan |
Add 1 book for Wikipedia:Pemastian (20231209)) #IABot (v2.0.9.5) (GreenC bot |
||
Baris 257:
|first5 = R. S.|doi = 10.1093/jee/87.6.1534}}</ref>
===Semikonduktor===
Boron adalah sebuah [[dopan]] yang berguna untuk semikonduktor seperti [[silikon]], [[germanium]], dan [[silikon karbida]]. Memiliki satu elektron valensi lebih sedikit daripada atom inang, ia menyumbangkan sebuah [[Lubang elektron|lubang]] yang menghasilkan konduktivitas [[Semikonduktor ekstrinsik#Semikonduktor tipe p|tipe p]]. Metode pemasukan boron ke dalam semikonduktor adalah melalui [[difusi atom]] pada suhu tinggi. Proses ini menggunakan sumber boron padat (B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>), cair (BBr<sub>3</sub>), atau gas (B<sub>2</sub>H<sub>6</sub> atau BF<sub>3</sub>). Namun, setelah tahun 1970-an, ia sebagian besar digantikan oleh [[implantasi ion]], yang sebagian besar bergantung pada BF<sub>3</sub> sebagai sumber boron.<ref>{{Cite book|pages = [https://archive.org/details/fundamentalssemi00mayg/page/n66 51]–54|title = Fundamentals of semiconductor manufacturing and process control|url = https://archive.org/details/fundamentalssemi00mayg|url-access = limited|last1 = May|first1 = Gary S.|last2= Spanos|first2=Costas J.|publisher = [[John Wiley & Sons|John Wiley and Sons]]|date = 2006|isbn=978-0-471-78406-7}}</ref> Gas boron triklorida juga merupakan bahan kimia yang penting dalam industri semikonduktor, namun bukan untuk doping, melainkan untuk [[etsa plasma]] logam dan oksida mereka.<ref>{{Cite book|pages = 39–60|title = Semiconductor industry: wafer fab exhaust management|first = J. Michael|last = Sherer|publisher = [[CRC Press]]|date = 2005|isbn = 978-1-57444-720-0}}</ref> [[Trietilborana]] juga disuntikkan ke dalam reaktor [[Pengendapan uap kimia|pengendapan uap]] sebagai sumber boron.{{Butuh rujukan|date=Agustus 2022}} Contohnya adalah pengendapan plasma dari film karbon keras yang mengandung boron, film silikon nitrida–boron nitrida, dan untuk [[doping (semikonduktor)|doping]] film [[intan]] dengan boron.<ref>{{Cite book|page =[https://archive.org/details/materialsforinfo0000euro/page/44 44]| title=Materials for information technology: devices, interconnects and packaging|url =https://archive.org/details/materialsforinfo0000euro| author = Zschech, Ehrenfried| author2 = Whelan, Caroline| author3 = Mikolajick, Thomas| name-list-style = amp | publisher =Birkhäuser| date = 2005| isbn = 978-1-85233-941-8}}</ref>
===Magnet===
Boron adalah salah satu komponen [[magnet neodimium]] (Nd<sub>2</sub>Fe<sub>14</sub>B), yang merupakan salah satu jenis magnet permanen terkuat. Magnet ini ditemukan pada berbagai perangkat elektromekanis dan elektronik, seperti sistem pencitraan medis [[pencitraan resonansi magnetik]] (''magnetic resonance imaging'', MRI), dalam motor dan [[aktuator]] yang kompak dan relatif kecil. Sebagai contoh, pemutar [[Cakram keras|HDD]] (''hard disk drive'', cakram keras), [[Cakram padat|CD]] (''compact disc'', cakram padat), dan [[DVD]] (''digital versatile disk'', cakram serbaguna digital) komputer mengandalkan motor magnet neodimium untuk menghasilkan daya putar yang kuat dalam paket yang sangat ringkas. Di dalam ponsel, magnet 'Neo' memberikan medan magnet yang memungkinkan pengeras suara kecil menghasilkan daya audio yang cukup besar.<ref>{{Cite book|page=45|title=Permanent magnet materials and their application| first = Peter|last = Campbell| publisher =Cambridge University Press| date= 1996| isbn=978-0-521-56688-9}}</ref>
| |||