Transistor: Perbedaan antara revisi
Konten dihapus Konten ditambahkan
Kortsleting (bicara | kontrib) k shuffled sections |
Kortsleting (bicara | kontrib) k added FET type |
||
Baris 56:
Perubahan arus listrik dalam jumlah kecil pada terminal basis dapat menghasilkan perubahan arus listrik dalam jumlah besar pada terminal kolektor. Prinsip inilah yang mendasari penggunaan transistor sebagai penguat elektronik. Rasio antara arus pada koletor dengan arus pada basis biasanya dilambangkan dengan β atau <math>h_{FE}</math>. β biasanya berkisar sekitar 100 untuk transistor-transisor BJT.
=== FET ===
FET dibagi menjadi dua keluarga: '''Junction FET''' ([[JFET]]) dan '''Insulated Gate FET''' (IGFET) atau juga dikenal sebagai '''Metal Oxide Silicon''' (atau '''Semiconductor''') '''FET''' ([[MOSFET]]). Berbeda dengan IGFET, terminal gate dalam JFET membentuk sebuah [[dioda]] dengan kanal (materi semikonduktor antara Source dan Drain). Secara fungsinya, ini membuat N-channel JFET menjadi sebuah versi solid-state dari tabung vakum, yang juga membentuk sebuah dioda antara antara [[grid]] dan [[katode]]. Dan juga, keduanya (JFET dan tabung vakum) bekerja di "depletion mode", keduanya memiliki impedansi input tinggi, dan keduanya menghantarkan arus listrik dibawah kontrol tegangan input.
FET lebih jauh lagi dibagi menjadi tipe '''enhancement mode''' dan '''depletion mode'''. Mode menandakan polaritas dari tegangan gate dibandingkan dengan source saat FET menghantarkan listrik. Jika kita ambil N-channel FET sebagai contoh: dalam depletion mode, gate adalah negatif dibandingkan dengan source, sedangkan dalam enhancement mode, gate adalah positif. Untuk kedua mode, jika tegangan gate dibuat lebih positif, aliran arus di antara source dan drain akan meningkat. Untuk P-channel FET, polaritas-polaritas semua dibalik. Sebagian besar IGFET adalah tipe enhancement mode, dan hampir semua JFET adalah tipe depletion mode.
== Referensi ==
| |||