Revisi per 14 Januari 2008 08.35 sunting Erdinal (bicara \| kontrib) 1.065 suntingan Tidak ada ringkasan suntingan ← Revisi sebelumnya		Revisi per 14 Januari 2008 08.40 sunting balikkan Erdinal (bicara \| kontrib) 1.065 suntingan →Karakteristik IGBT Revisi selanjutnya →
Baris 9: Sesuai dengan namanya, divais baru ini merupakan divais yang menggabungkan struktur dan sifat-sifat dari kedua jenis transistor tersebut di atas, BJT dan MOSFET. Dengan kata lain, IGBT mempunyai sifat kerja yang menggabungkan keunggulan sifat-sifat kedua jenis transistor tersebut. Terminal gate dari IGBT, sebagai terminal kendali juga mempunyai struktur bahan penyekat (''insulator'') sebagaimana pada MOSFET. Input dari IGBT adalah terminal ''Gate'' dari MOSFET, sedang terminal ''Source'' dari MOSFET terhubung ke terminal ''Basis'' dari BJT. Dengan demikian, [[arus]] ''drain'' keluar dan dari MOSFET akan menjadi arus basis dari BJT. Karena besarnya tahanan masuk dari MOSFET, maka terminal input IGBT hanya akan menarik arus yang kecil dari sumber. Di pihak lain, arus drain sebagai arus keluaran dari MOSFET akan ~~cukuo~~cukup besar untuk membuat BJT mencapai keadaan [[saturasi]]. Dengan gabungan sifat kedua elemen tersebut, IGBT mempunyai perilaku yang cukup ideal sebagai sebuah ~~sakelar~~[[saklar]] elektronik. Di satu pihak IGBT tidak terlalu membebani sumber, di pihak lain mampu menghasilkan arus yang besar bagi beban listrik yang dikendalikannya. Terminal masukan IGBT mempunyai nilai [[impedansi]] yang sangat tinggi, sehingga tidak membebani rangkaian pengendalinya yang umumnya terdiri dari [[rangkaian logika]]. Ini akan menyederhanakan rancangan rangkaian pengendali (''controller'') dan penggerak (''driver'') dari IGBT. Di samping itu, kecepatan pensakelaran IGBT juga lebih tinggi dibandingkan divais BJT, meskipun lebih rendah dari divais MOSFET yang setara. Di lain pihak, terminal keluaran IGBT mempunyai sifat yang menyerupai terminal keluaran (kolektor-emitter) BJT. Dengan kata lain, pada saat keadaan menghantar, nilai tahanan menghantar (<math>R_on</math>) dari IGBT sangat kecil, menyerupai <math>R_on</math> pada BJT. ▼ Dengan demikian bilai tegangan jatuh serta lesapan dayanya pada saat keadaan menghantar juga kecil. Dengan sifat-sifat seperti ini, IGBT akan sesuai untuk dioperasikan pada arus yang besar, hingga ratusan amper, tanpa terjadi kerugian daya yang cukup berarti. IGBT sesuai untuk aplikasi pada perangkat ''Inverter'' maupun Kendali Motor Listrik (''Drive'').▼ ▲Di samping itu, kecepatan ~~pensakelaran~~pensaklaran IGBT juga lebih tinggi dibandingkan divais BJT, meskipun lebih rendah dari divais MOSFET yang setara. Di lain pihak, terminal keluaran IGBT mempunyai sifat yang menyerupai terminal keluaran (kolektor-emitter) BJT. Dengan kata lain, pada saat keadaan menghantar, nilai tahanan menghantar (<math>~~R_on~~R_{on}</math>) dari IGBT sangat kecil, menyerupai <math>~~R_on~~R_{on}</math> pada BJT. ▲Dengan demikian ~~bilai~~bila [[tegangan jatuh]] serta lesapan dayanya pada saat keadaan menghantar juga kecil. Dengan sifat-sifat seperti ini, IGBT akan sesuai untuk dioperasikan pada arus yang besar, hingga ratusan [[amper]], tanpa terjadi kerugian [[daya]] yang cukup berarti. IGBT sesuai untuk aplikasi pada perangkat ''[[Inverter]]'' maupun [[Kendali Motor Listrik]] (''Drive''). === Sifat-sifat IGBT ===

Transistor dwikutub gerbang-terisolasi: Perbedaan antara revisi