Revisi per 11 Oktober 2016 08.43 sunting Tazkia Karima (bicara \| kontrib) 2 suntingan Tidak ada ringkasan suntingan Tag: VisualEditor ← Revisi sebelumnya		Revisi per 26 Oktober 2016 11.38 sunting balikkan AABot (bicara \| kontrib) Bot, Pengecualian blokir IP 899.204 suntingan k Robot: Perubahan kosmetika Revisi selanjutnya →
Baris 29: Dari banyak tipe-tipe transistor modern, pada awalnya ada dua tipe dasar transistor, [[bipolar junction transistor]] (BJT atau transistor bipolar) dan [[field-effect transistor]] (FET), yang masing-masing bekerja secara berbeda. Disebut Transistor bipolar karena kanal konduksi utamanya menggunakan dua polaritas pembawa muatan: elektron dan lubang, untuk membawa arus listrik. Dalam BJT, arus listrik utama harus melewati satu daerah/lapisan pembatas dinamakan [[depletion zone]], dan ketebalan lapisan ini dapat diatur dengan kecepatan tinggi dengan tujuan untuk mengatur aliran arus utama tersebut. FET (juga dinamakan transistor unipolar) hanya menggunakan satu jenis pembawa muatan (elektron atau hole, tergantung dari tipe FET). Dalam FET, arus listrik utama mengalir dalam satu kanal konduksi sempit dengan depletion zone di kedua sisinya (dibandingkan dengan transistor bipolar di mana daerah Basis memotong arah arus listrik utama). Dan ketebalan dari daerah perbatasan ini dapat diubah dengan perubahan tegangan yang diberikan, untuk mengubah ketebalan kanal konduksi tersebut. Lihat artikel untuk masing-masing tipe untuk penjelasan yang lebih lanjut.

Transistor: Perbedaan antara revisi