Samaun Samadikun: Perbedaan antara revisi
Konten dihapus Konten ditambahkan
k Robot: Cosmetic changes |
Tidak ada ringkasan suntingan |
||
Baris 10:
Prof. Samaun Samadikun menjadi mahasiswa Jurusan Teknik Elektro di ITB di awal tahun 1950an dan lulus sebagai insinyur. Ia kemudian memperoleh gelar [[Master of Science|M.Sc.]] (1957) dan [[Doctor of Philosophy|Ph.D.]] (1971) di bidang [[teknik elektro]] dari [[Universitas Stanford]] di [[Amerika Serikat]]. Beliau juga memperoleh Postgraduate Diploma bidang Nuclear Engineering dari [[Queen Mary, Universitas London]] (1960). Di Universitas Stanford pada tahun 1975, bersama K.D Wise, Prof. Samaun menciptakan paten, US Patent No 3,888,708 yang bertajuk, ''"Method for forming regions of predetermined in silicon"''.
Kariernya sebagai dosen diawali di Jurusan Teknik Elektro, [[Institut Teknologi Bandung]], [[1957]]. Ia menjadi [[profesor]] bidang [[elektronika]] tahun 1974. Semasa bertugas di ITB beliau pernah menjabat sebagai ketua Jurusan Teknik Elektro (1964-1967), dan mendirikan sekaligus menjabat sebagai direktur pertama dari [[Pusat Antar Universitas]] (PAU) Mikroelektronika ITB (1984-1989), yang sekarang dikenal sebagai Pusat Mikroelektronika ITB.
Semasa ia menjadi mahasiswa ITB, terjadi konfrontasi antara pemerintah Indonesia dengan pemerintah Belanda terkait dengan Irian Barat (sekarang Papua). Hal ini mengakibatkan hengkangnya dosen-dosen ITB yang berasal dari Eropa, sehingga pendidikan di ITB terganggu akibat kekosongan staf. Samaun Samadikun termasuk gelombang pertama mahasiswa senior bangsa Indonesia yang direkrut sebagai dosen ITB. Mereka dikirim ke luar negeri untuk memperoleh gelar pascasarjana, dan kembali ke ITB untuk mengajar. Oleh sebab itu ia sering juga disebut salah satu pendiri Jurusan Teknik Elektro ITB dalam bentuk yang dikenal sekarang.
| |||