Kontak Ohmik: Perbedaan antara revisi
Konten dihapus Konten ditambahkan
Tidak ada ringkasan suntingan |
Tidak ada ringkasan suntingan |
||
Baris 5:
[[Image:Ohmic3.png|thumb|right|Kontak ohmic atau hambatan Schottky dibentuk ketika sebuah logam dan semikonduktor tipe-p bersentuhan.]]
==Persiapan dan karakterisasi kontak ohmic==
The fabrication of ohmic contacts is a much-studied part of materials engineering that nonetheless remains something of an art. The reproducible, reliable fabrication of contacts relies on extreme cleanliness of the semiconductor surface. Since a '''native oxide''' rapidly forms on the surface of [[silicon]], for example, the performance of a contact can depend sensitively on the details of preparation.
Pembuatan kontak ohmic telah banyak dipelajari sebagai bagian dari rekayasa material yang yang merupakan suatu seni. '''oksida''' secara cepat akan terbentuk pada permukaan [[Silikon]], misalnya, kinerja kontak dapat bergantung sensitif pada rincian persiapan.
| |||