Programmable ROM: Perbedaan antara revisi

Konten dihapus Konten ditambahkan
Dare2Leap (bicara | kontrib)
k →‎Pemrograman: Memperbaiki terjemahan
Dare2Leap (bicara | kontrib)
k →‎Sejarah: Memperbaiki terjemahan
Baris 8:
Wen Tsing Chow, yang bekerja untuk Divisi Arma dari Korporasi Amerika Serikat Bosch Arma di Garden City, [[New York]] mengembangkan PROM pada tahun 1956.<ref name="Huang2008">{{Cite book|last=Han-Way Huang|date=5 December 2008|url=https://books.google.com/books?id=3zRtCgAAQBAJ&pg=PA22|title=Embedded System Design with C805|publisher=Cengage Learning|isbn=978-1-111-81079-5|page=22|archive-url=https://web.archive.org/web/20180427092847/https://books.google.com/books?id=3zRtCgAAQBAJ&pg=PA22|archive-date=27 April 2018|url-status=live}}</ref><ref name="AufaureZimányi2013">{{Cite book|last=Marie-Aude Aufaure|last2=Esteban Zimányi|date=17 January 2013|url=https://books.google.com/books?id=7iK5BQAAQBAJ&pg=PA136|title=Business Intelligence: Second European Summer School, eBISS 2012, Brussels, Belgium, July 15-21, 2012, Tutorial Lectures|publisher=Springer|isbn=978-3-642-36318-4|page=136|archive-url=https://web.archive.org/web/20180427092847/https://books.google.com/books?id=7iK5BQAAQBAJ&pg=PA136|archive-date=27 April 2018|url-status=live}}</ref> Memori PROM dikembangkan karena ada permintaan dari [[Angkatan Udara Amerika Serikat]] untuk menemukan cara yang lebih aman dan fleksibel untuk menyimpan konstanta penargetan di komputer digital [[peluru kendali balistik antarbenua]] (ICBM) Atlas E/F. Ketika Atlas E/F menjadi rudal utama pasukan ICBM Amerika Serikat, teknologi dan paten memori PROM dirahasiakan selama beberapa tahun. Istilah ''membakar'' (bahasa Inggris: ''burn''), yang mengacu pada proses pemrograman PROM, juga ada dalam paten asal memori PROM. Salah satu penerapan pembakaran pertama adalah pembakaran betul-betul kumis/''whisker'' internal dioda-dioda dengan arus yang berlebihan untuk memutus sirkuit. Programmer PROM pertama juga dikembangkan oleh insinyur-insinyur Arma yang dipimpin oleh Mr. Chow dan berada di laboratorium Arma di Garden City dan markas Komando Udara [[Strategic Air Command]] (SAC).
 
Memori program hanya sekali (OTP/''one time programmable'') adalah jenis spesial memori non-volatil yang hanya memungkinkan penulisan data ke memori sekali. Setelah pemrograman data, memori mempertahankan isinya bahkan ketika kehilangan daya (non-volatil). Memori ini digunakan dalam aplikasi yang membutuhkan pembacaan data yang andal dan berulang. Misalnya, kode boot, kunci enkripsi, dan parameter konfigurasi untuk sirkuit analog, sensor, atau tampilan. OTP non-volatil memiliki luas struktur memori yang lebih kecil dan penggunaan listrik yang lebih sedikit daripada jenis memori non-volatil lain, seperti eFuse atau EEPROM. Oleh karena itu, banyak produk memakai memori OTP, mulai dari mikroprosesor, driver tampilan, hingga IC[[sirkuit Manajementerpadu]] Dayamanajemen daya (PMIC).
 
Susunan memori semikonduktor OTP berbasis antisekring tersedia di pasar setidaknya sejak 1969. Awalnya, sel bit antisekring bergantung pada peledakan kapasitor antara jalur konduktif yang menyilang. [[Texas Instruments]] mengembangkan antisekring MOS pemecah [[gerbang oksida]] pada tahun 1979.<ref>See [http://patimg2.uspto.gov/.piw?Docid=4184207&idkey=NONE US Patent 4184207] - High density floating gate electrically programmable ROM, and [http://patimg2.uspto.gov/.piw?Docid=4151021&idkey=NONE US Patent 4151021] Diarsipkan pada di [https://web.archive.org/web/20180427092847/http://patimg2.uspto.gov/.piw?Docid=4151021&idkey=NONE Wayback Machine] - Method of making a high density floating gate electrically programmable ROM</ref> Antisekring MOS gerbang oksida ganda dua transistor (2T) diperkenalkan pada tahun 1982.<ref>[http://www.chipestimate.com/techtalk/techtalk_071218.html Chip Planning Portal]. ChipEstimate.com. Retrieved on 2013-08-10.</ref> Teknologi pemecahan oksida awal memiliki berbagai masalah pembesaran skala, pemrograman, ukuran, dan produksi yang mencegah produksi skala besar perangkat memori yang menggunakan teknologi ini.