Transistor: Perbedaan antara revisi

Untuk mengerti cara kerja [[semikonduktor]], misalkan sebuah gelas berisi air murni. Jika sepasang konduktor dimasukan kedalamnya, dan diberikan tegangan DC tepat di bawah tegangan [[elektrolisis]] (sebelum air berubah menjadi [[Hidrogenhidrogen]] dan [[Oksigenoksigen]]), tidak akan ada arus mengalir karena air tidak memiliki pembawa muatan (charge carriers). Sehingga, air murni dianggap sebagai [[isolator]]. Jika sedikit garam dapur dimasukan ke dalamnya, konduksi arus akan mulai mengalir, karena sejumlah pembawa muatan bebas (mobile carriers, [[ion]]) terbentuk. Menaikan konsentrasi garam akan meningkatkan konduksi, tetapi tidak banyak. Garam dapur sendiri adalah non-konduktor ([[isolator]]), karena pembawa muatanya tidak bebas.

[[Silikon]] murni sendiri adalah sebuah isolator, tetapi jika sedikit pencemar ditambahkan, seperti [[Arsenikarsenik]], dengan sebuah proses yang dinamakan doping, dalam jumlah yang cukup kecil sehingga tidak mengacaukan tata letak kristal silikon, Arsenik akan memberikan [[elektron]] bebas dan hasilnya memungkinkan terjadinya konduksi arus listrik. Ini karena Arsenikarsenik memiliki 5 atom di orbit terluarnya, sedangkan Silikonsilikon hanya 4. Konduksi terjadi karena pembawa muatan bebas telah ditambahkan (oleh kelebihan elektron dari Arsenik). Dalam kasus ini, sebuah Silikon tipe-n (n untuk negatif, karena pembawa muatannya adalah elektron yang bermuatan negatif) telah terbentuk.

Selain dari itu, silikon dapat dicampur dengan [[Boronboron]] untuk membuat semikonduktor tipe-p. Karena Boron hanya memiliki 3 elektron di orbit paling luarnya, pembawa muatan yang baru, dinamakan "lubang" (hole, pembawa muatan positif), akan terbentuk di dalam tata letak kristal silikon.

Dari banyak tipe-tipe transistor modern, pada awalnya ada dua tipe dasar transistor, [[Transistor sambungan dwikutub|bipolar junction transistor]] (BJT atau transistor bipolar) dan [[Transistor efek–medan|field-effect transistor]] (FET), yang masing-masing bekerja secara berbeda.

[[FET]] dibagi menjadi dua keluarga: '''Junction FET''' ([[JFET]]) dan '''Insulated Gate FET''' ([[IGFET]]) atau juga dikenal sebagai '''Metal Oxide Silicon''' (atau '''Semiconductor''') '''FET''' ([[MOSFET]]). Berbeda dengan IGFET, terminal gate dalam JFET membentuk sebuah [[diode]] dengan kanal (materi semikonduktor antara Source dan Drain). Secara fungsinya, ini membuat N-channel JFET menjadi sebuah versi solid-state dari tabung vakum, yang juga membentuk sebuah diode antara [[grid]] dan [[katode]]. Dan juga, keduanya (JFET dan tabung vakum) bekerja di "depletion mode", keduanya memiliki impedansi input tinggi, dan keduanya menghantarkan arus listrik di bawah kontrol tegangan input.