Revisi per 13 April 2009 09.11 sunting ArdWar (bicara \| kontrib) Pengecualian blokir IP 5.320 suntingan k →Rentang suhu ← Revisi sebelumnya		Revisi per 13 April 2009 09.15 sunting balikkan ArdWar (bicara \| kontrib) Pengecualian blokir IP 5.320 suntingan kTidak ada ringkasan suntingan Revisi selanjutnya →
Baris 1: ~~{{inuse}}~~ [[Image:CMOS Inverter.svg\|thumb\|right\|Inverter CMOS statis ]] '''Complementary metal–oxide–semiconductor''' ('''CMOS''') atau semikonduktor–oksida–logam komplementer, adalah sebuah jenis utama dari rangkaian terintegrasi. Teknologi CMOS digunakan di mikroprosesor, pengontrol mikro, RAM statis, dan sirkuit logika digital lainnya. Teknologi CMOS juga digunakan dalam banyak sirkuit analog, seperti sensor gambar, pengubah data, dan trimancar terintegrasi untuk berbagai jenis komunikasi. [[Frank Wanlass]] berhasil mematenkan CMOS pada tahun 1967 (US Patent 3,356,858). Baris 12 ⟶ 11: ==Detail teknis== "CMOS" merujuk pada desain sirkuit digital tertentu, dan proses-proses yang digunakan untuk mengimplementasikan sirkuit tersebut dalam rangkaian terintegrasi. Sirkuit CMOS memboroskan lebih sedikit daya saat statis, dan memungkinkan penempatan sirkuit yang lebih padat daripada teknologi lain yang mempunyai fungsi sama. Saat keuntungan ini menjadi lebih diinginkan, proses CMOS dan variannya mendominasi sirkuit digital terintegrasi modern.~~{{Fact\|date=October 2007}}~~ Sirkuit CMOS menggunakan kombinasi MOSFET tipe-n dan tipe-p untuk mengkonstruksi gerbang logika dan sirkuit digital yang ditemui di komputer, peralatan komunikasi, dan peralatan pemroses sinyal. Walaupun logika CMOS dapat dibangun dari komponen terpisah (seperti pada proyek pemula), biasanya produk CMOS adalah rangkaian terintegrasi yang terdiri dari jutaan transistor pada sepotong silikon seluas antara 0,1 hingga 4 sentimeter persegi.~~{{Fact\|date=October 2007}}~~ Peranti tersebut biasanya disebut dengan chip, sedangkan untuk perindustrian juga disebut dengan die (tunggal) atau dice (jamak). ==Komposisi== Baris 55 ⟶ 54: Baik transistor NMOS ataupun PMOS memiliki gerbang–sumber [[tegangan tahan]]. Desain CMOS yang beroperasi pada tegangan catu yang jauh lebih tinggi dari tegangan tahan (V<sub>dd</sub> lebih dari 5 V, dan V<sub>th</sub> untuk transistor NMOS dan PMOS adalah 700 mV). Untuk mempercepat desain, produsen beralih ke bahan gerbang yang memiliki tegangan tahan yang lebih rendah.~~{{Fact\|date=December 2008}}~~ Sebuah transistor NMOS modern dengan V<sub>th</sub> of 200 mV memiliki kebocoran arus pratahan yang signifikan. Desain yang berusaha mengoptimalkan proses pembuatan untuk borosan daya minimum selama operasi telah menekan V<sub>th</sub> sehingga bocoran arus kira-kira sama dengan daya pensakelaran. Sebagai akibatnya, peranti tersebut memboroskan daya walaupun tidak terjadi pensakelaran. Pengurangan bocoran daya menggunakan bahan baru dan desain sistem sangat dibutuhkan untuk menjaga eksistensi CMOS. Pabrikan memandang pengenalan dielektrik permitivitas tinggi untuk mengatasi bocoran arus pada gerbang dengan mengganti silikon dioksida dengan bahan yang mempunyai permitivitas lebih tinggi. == CMOS analog== Baris 78 ⟶ 77: ==Pranala luar== * [http://tech-www.informatik.uni-hamburg.de/applets/cmos/cmosdemo.html penjelasan interaktif mengenai CMOS] * [http://lasihomesite.com/ LASI]

CMOS: Perbedaan antara revisi