Programmable ROM: Perbedaan antara revisi
Konten dihapus Konten ditambahkan
Rescuing 6 sources and tagging 0 as dead.) #IABot (v2.0.8.6 |
Rescuing 1 sources and tagging 0 as dead.) #IABot (v2.0.9.2 |
||
Baris 10:
Memori program hanya sekali (OTP/''one time programmable'') adalah jenis spesial memori non-volatil yang hanya memungkinkan penulisan data ke memori sekali. Setelah pemrograman data, memori mempertahankan isinya bahkan ketika kehilangan daya (non-volatil). Memori ini digunakan dalam aplikasi yang membutuhkan pembacaan data yang andal dan berulang. Misalnya, kode boot, kunci enkripsi, dan parameter konfigurasi untuk sirkuit analog, sensor, atau tampilan. OTP non-volatil memiliki luas struktur memori yang lebih kecil dan penggunaan listrik yang lebih sedikit daripada jenis memori non-volatil lain, seperti eFuse atau EEPROM. Oleh karena itu, banyak produk memakai memori OTP, mulai dari mikroprosesor, driver tampilan, hingga [[sirkuit terpadu]] manajemen daya (PMIC).
Susunan memori semikonduktor OTP berbasis antisekring tersedia di pasar setidaknya sejak 1969. Awalnya, sel bit antisekring bergantung pada peledakan kapasitor antara jalur konduktif yang menyilang. [[Texas Instruments]] mengembangkan antisekring MOS pemecah [[gerbang oksida]] pada tahun 1979.<ref>See [http://patimg2.uspto.gov/.piw?Docid=4184207&idkey=NONE US Patent 4184207] {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20180427183945/http://patimg2.uspto.gov/.piw?Docid=4184207&idkey=NONE |date=2018-04-27 }} - High density floating gate electrically programmable ROM, and [http://patimg2.uspto.gov/.piw?Docid=4151021&idkey=NONE US Patent 4151021] {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20180427092847/http://patimg2.uspto.gov/.piw?Docid=4151021&idkey=NONE |date=2018-04-27 }}Diarsipkan pada di - Method of making a high density floating gate electrically programmable ROM</ref> Antisekring MOS gerbang oksida ganda dua transistor (2T) diperkenalkan pada tahun 1982.<ref>[http://www.chipestimate.com/techtalk/techtalk_071218.html Chip Planning Portal]. ChipEstimate.com. Retrieved on 2013-08-10.</ref> Teknologi pemecahan oksida awal memiliki berbagai masalah pembesaran skala, pemrograman, ukuran, dan produksi yang mencegah produksi skala besar perangkat memori yang menggunakan teknologi ini.
Walaupun PROM berbasis antisekring ada selama beberapa dekade, sebelum 2001, [[CMOS]] umum tidak memilikinya. Pada tahun itu, Kilopass Technology Inc. mematenkan teknologi sel bit antisekring 1T, 2T, dan 3,5T, yang menggunakan proses CMOS biasa. Ini memungkinkan adanya memori PROM dalam chip logika CMOS. Proses node antisekring pertama yang dapat diterapkan dalam chip CMOS umum adalah proses node 0,18 µm. Langkah-langkah difusi spesial untuk membuat elemen pemrograman antisekring tidak diperlukan, karena ambang pemecahan gerbang oksida lebih rendah daripada ambang pemecahan persimpangan. Pada tahun 2005, perangkat antisekring saluran terpisah<ref>Lihat [http://patimg2.uspto.gov/.piw?Docid=7402855&idkey=NONE Paten AS 7402855] {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20150904051044/http://patimg2.uspto.gov/.piw?Docid=7402855&idkey=NONE |date=2015-09-04 }} perangkat antisekring saluran terpisah</ref> diperkenalkan oleh Sidense. Dalam sel bit saluran terpisah, perangkat (gerbang) oksida tebal (IO) dan tipis digabungkan menjadi sebuah transistor (1T) dengan gerbang [[Silikon polikristal|polisilikon]] umum.
| |||