Revisi per 11 Januari 2023 05.53 sunting Ahmad Alkimya (bicara \| kontrib) 129 suntingan →‎Intro ← Revisi sebelumnya		Revisi per 11 Januari 2023 05.58 sunting balikkan Ahmad Alkimya (bicara \| kontrib) 129 suntingan →‎Sebagai etsa Revisi selanjutnya →
Baris 149: ===Sebagai etsa=== Xenon difluorida juga digunakan sebagai [[etsa ]] gas isotropik untuk silikon, khususnya dalam produksi sistem mikroelektromekanis (MEMS), seperti yang pertama kali didemonstrasikan pada tahun 1995.<ref>{{cite journal\|last1=Chang \|first1=F. \|last2=Yeh \|first2=R. \|first3=Lin \|last3=G. \|last4=Chu \|first4=P. \|last5=Hoffman \|first5=E. \|last6=Kruglick \|first6=E. \|last7=Pister \|first7=K. \|last8=Hecht \|first8=M. \|editor1-first=Wayne \|editor1-last=Bailey \|editor2-first=M. Edward \|editor2-last=Motamedi \|editor3-first=Fang-Chen \|editor3-last=Luo \|doi=10.1117/12.220933 \|title=Gas-phase silicon micromachining with xenon difluoride \|journal=SPIE Proc. \|series=Microelectronic Structures and Microelectromechanical Devices for Optical Processing and Multimedia Applications \|volume=2641 \|date=1995 \|pages=117–128\|bibcode=1995SPIE.2641..117C \|s2cid=39522253 }}</ref> Sistem komersial menggunakan etsa pulsa dengan ruang ekspansi<ref>{{cite conference\|last1=Chu \|first1=P. \|last2=Chen \|first2=J. \|last3=Chu \|first3=P. \|last4=Lin \|first4=G. \|last5=Huang \|first5=J. \|last6=Warneke \|first6=B \|last7=Pister \|first7=K. \|title=Controlled Pulse-Etching with Xenon Difluoride \|conference=Int. Conf. Solid State Sensors and Actuators (Transducers 97) \|date=1997 \|pages=665–668}}</ref> Brazzle, Dokmeci, et Al. jelaskan proses ini:<ref>{{cite conference\|last1=Brazzle \|first1=J. D. \|last2=Dokmeci \|first2=M. R. \|last3=Mastrangelo \|first3=C. H. \|title=17th IEEE International Conference on Micro Electro Mechanical Systems. Maastricht MEMS 2004 Technical Digest \|doi=10.1109/MEMS.2004.1290690 \|chapter=Modeling and characterization of sacrificial polysilicon etching using vapor-phase xenon difluoride \|conference=17th IEEE International Conference on Micro Electro Mechanical Systems (MEMS) \|date=2004 \|pages=737–740\|isbn=0-7803-8265-X }}</ref> Xenon difluorida juga digunakan sebagai etsa gas isotropik untuk silikon , khususnya dalam produksi sistem mikroelektromekanis (MEMS), seperti yang pertama kali didemonstrasikan pada tahun 1995. [35] Sistem komersial menggunakan etsa pulsa dengan ruang ekspansi [36] Brazzle, Dokmeci, et Al. jelaskan proses ini: [37] Mekanisme etsa adalah sebagai berikut. Pertama, XeF <sub>2</sub> menyerap dan berdisosiasi menjadi atom xenon dan fluor pada permukaan silikon. Fluor adalah etsa utama dalam proses etsa silikon. Reaksi yang menggambarkan silikon dengan XeF <sub>2</sub> adalah :2  XeF <sub>2</sub> + Si → 2  Xe + SiF <sub>4</sub> XeF <sub>2</sub> memiliki laju etsa yang relatif tinggi dan tidak memerlukan bombardir ion atau sumber energi eksternal untuk mengetsa silikon. ==Referensi==

Pengguna:Ahmad Alkimya/Experimental Fields: Perbedaan antara revisi