Memristor: Perbedaan antara revisi

'''Memristors''' {{IPA|/memˈrɪstɚ/}} ("memory resistors") adalah kelas [[Unsur sirkuit pasif|pasif]] terminal-dua [[elemen sirkuit]] yang menggunakan [[fungsi (matematik)|fungsi]] hubungan antara waktu [[integral]] dari [[arus listrik|arus]] dan [[tegangan]]. Hasil ini dalam [[hambatan listrik|hambatan]] bervariasi sesuai dengan perangkat fungsi '''memristansi'''. Secara spesifik teknik memristor menyediakan hambatan yang dapat terkontrol yang berguna untuk menyambungkan arus. Memristor merupakan kasus khusus dalam hal yang dikenal sebagai "sistem memristif", sebuah kelas dari [[model matematika]] yang berguna untuk mengamati fenomena tertentu secara empiris, seperti "firing" dari [[neuron]].<ref name="chua76">Chua, L.O., dan Kang, S.M., Sistem dan perangkat memristif, Proceedings of the IEEE 64, 206, 1976</ref> Definisi dari memristor adalah didasarkan pada asas sirkuit variabel, mirip dengan [[resistor]], [[kapasitor]], dan [[induktor]]. Tidak seperti unsur-unsur yang lebih umum, yang tentu memristors nonlinear dapat dijelaskan oleh salah satu dari berbagai variasi fungsi waktu. Akibatnya, memristor termasuk model sirkuit [[teori sistem LTI|linear time-invariant (LTI)]].

Teori memristor dirumuskan dan namai oleh [[Leon Chua]] dalam tulisannya pada tahun 1971. Chua sangat mempercayai bahwa perangkat elektronik yang ada tersusun atas [[resistor]], [[induktor]], dan [[kapasitor]]. Simetri ini dijelaskan unsur dasar sirkuit pasif yang didefinisikan oleh hubungan antara dua dari empat variabel sirkuit dasar, yaitu tegangan, arus, muatan dan flux.<ref>Shearer, J.L., Murphy, A.T., dan Richardson, H.H., Pengenalan sistem dinamik, Addison-Wesley, Reading, Mass., 1967. Figure 4.4.</ref> Perangkat yang menghubungkan muatan dan flux (didefinisikan sebagai integral waktu dari arus dan tegangan),pada memristor, yang masih bersifat hipotesis. Dia memberi tahu bahwa peneliti lain sudah menggunakan hubungan tetap muatan-flux non linier.<ref name="chua71">

However, it would not be until thirty-seven years later, on [[April 30]], [[2008]], that a team at [[HP Labs]] led by the scientist [[R. Stanley Williams]] would announce the discovery of a switching memristor. Based on a [[thin film]] of [[titanium dioxide]], it has been presented as an approximately ideal device.<ref name="Nature08">

Being much simpler than currently popular [[MOSFET]] switches and also able to implement one [[bit]] of [[non-volatile memory|non-volatile]] [[ComputerMemory data storageBanda|memory]] in a single device, memristors integrated with transistors may enable [[nanoscale]] [[computer]] technology. Chua also speculates that they may be useful in the construction of [[artificial neural network]]s.<ref name="EETimes">{{Cite web

Memristor secara formal didefinisikan <ref name="chua71"/> sebagai unsur dua-terminal dalam [[Magnetik Flux#Magnetik flux melalui permukaan terbuka|magnetik flux]] Φ_m antara terminal sebagai fungsi dari jumlah dari [[muatan listrik]] ''q'' yang dilewati melalui perangkat. Setiap memristor dikarakterisasi oleh '''memristansi''' menjelaskan fungsi muatan-bergantung kecepatan dari perubahan flux dengan muatan.

[[Pengenalan hukum Faraday]] bahwa flux magnetik adalah integral fungsi of voltage,<ref>{{cite book|first=Heinz|last=Knoepfel|title=Pulsed high magnetic fields|location=New York|publisher= North-Holland|year=1970|pages=p. 37, Eq. (2.80)}}.</ref> dan muatan adalah integral waktu dari arus, dengan bentuk

Persamaan ini menyatakan bahwa memristansi didefinisikan hubungan linear antara arus dan tegangan, selama tegangan tidak divariasikan. Of course, nonzero current implies instantaneously varying charge. [[Alternating current]], however, may reveal the linear dependence in circuit operation by inducing a measurable voltage without ''net'' charge movement—as long as the maximum change in ''q'' does not cause [[small signal model|much]] change in ''M''.

The [[power consumption]] characteristic recalls that of a resistor, ''I''²''R''.