Doping (semikonduktor): Perbedaan antara revisi
Konten dihapus Konten ditambahkan
Tidak ada ringkasan suntingan |
Fitur saranan suntingan: 3 pranala ditambahkan. Tag: VisualEditor Suntingan perangkat seluler Suntingan peramban seluler Tugas pengguna baru Disarankan: tambahkan pranala |
||
Baris 9:
=== Cara Menghasilkan Semikonduktor Tipe-N ===
Ketika semikonduktor, seperti silikon unsur golongan IV (Si), didoping dengan arsenik (As), dopan tipe-n pentavalen dari golongan V yang mengandung satu elektron valensi lebih banyak daripada semikonduktor murni, pengotor bertindak sebagai [[donor elektron]]. Ketika ini terjadi, atom dopan menggantikan partikel silikon dalam struktur, memasukkan elektron valensi tambahan ke dalam kisi. [[Elektron valensi]] kelima ini menghasilkan kelebihan elektron.
Semikonduktor tipe-n terbentuk ketika beberapa partikel pengotor menggantikan atom semikonduktor asli dalam kisi. Semikonduktor yang baru terbentuk menghantarkan arus lebih baik daripada semikonduktor asli. Kelebihan elektron terletak pada kulit valensi berenergi tinggi, dengan sedikit energi yang diperlukan untuk menggesernya menuju pita konduksi.
Baris 31:
=== Semikonduktor Tipe N dan Tipe P Digunakan Bersama ===
[[Berkas:Isolator-metal.svg|jmpl]]
Jika semikonduktor tipe-p dihubungkan ke semikonduktor tipe-n dengan cara yang sesuai, daerah kontaknya disebut sambungan pn. Sambungan pn semikonduktor digunakan di berbagai perangkat listrik, seperti transistor, elektronik, LED, dan [[sel surya]].
Pergerakan lubang dan elektron masing-masing menghasilkan muatan negatif dan positif. Keberadaan muatan listrik yang tidak berpasangan ini menghasilkan medan listrik di dalam sambungan tersebut. Daerah penipisan adalah daerah yang mencakup partikel-partikel bermuatan ini (serta jumlah minimal elektron atau lubang bergerak).
| |||