Transistor sambungan dwikutub: Perbedaan antara revisi

Pembedaan tingkat komposisi dalam basis, misalnya dengan menaikkan jumlah germanium secara progresif pada transistor [[SiGe]], menyebabkan gradien dalam celah-jalur di basis netral (ditunjukkan sebagai Δφ_G), memberikan medan terpatri didalam yang membantu pengangkutan elektron melewati basis. Komponen alir tersebut membantu pengangkutan sebaran normal, menaikkan respons frekuensi transistor dengan memperpendek waktu pemindahan melewati basis.

Dua HBT yang paling sering digunakan adalah silikon-germanium dan aluminium arsenid, tetapi jenis semikonduktor lain juga bisa digunakan untuk struktur HBT. Struktur HBT biasanya dibuat dengan teknik [[epitaksi]], seperti [[epitaksi fasa uap logam-organik]] dan [[epitaksi sinar molekuler]].

== Daerah operasi ==

[[Berkas:Transistor BJT puissance.png|thumb|Batas operasi aman transistor, biru: batas I_C maksimum, merah: batas V_CE maksimum, ungu: batas daya maksimum]]