Transistor sambungan dwikutub: Perbedaan antara revisi

* '''Aktif-maju''' (atau '''aktif''' saja): pertemuan emitor-basis dipanja maju dan pertemuan basis-kolektor dipanjar mundur. Hampir semua transistor didesain untuk mencapai penguatan arus tunggal emitor yang terbesar (<math>\beta_F</math>) dalam moda aktif-maju. in forward-active mode. Dalam keadaan ini arus kolektor-emitor beberapa kali lipat lebih besar dari arus basis.

* '''Aktif-mundur''' (atau '''aktif-terbalik''' atau '''terbalik'''): dengan membalik pemanjaran pada moda aktif-maju, transistor dwikutub memasuki moda aktif-mundur. Pada moda ini, daerah emitor dan kolektor bertukar fungsi. Karena hampir semua BJT didesain untuk penguatan arus moda aktif-maju yang maksimal, <math>\beta_F</math> pada moda terbalik beberapa kaki lipat lebih rendah. Moda transistor ini jarang digunakan, dan hanya diperhitungkan untuk kondisi kegagalan dan untuk beberapa jenis logika dwikutub. Tegangan tembus panjar terbalik pada basis mungkin lebih rendah pada moda ini.

* '''Jenuh''': dengan semua pertemuan dipanjar maju, BJT memasuki moda jenuh dan memberikan konduksi arus yang besar dari emitor km kolektor. Moda ini berkorespondensi dengan logika hidup, atau sakelar yang tertutup.

* '''Putus''': pada keadaan putus, pemanjaran bertolak belakang dengan keadaan jenuh (semua pertemuan dipanjar terbalik). Arus yang mengalir sangat kecil, dengan demikian berkorespondensi dengan logika mati, atau sakelar yang terbuka.

* '''[[Tembusan bandang]]'''

* [[Transistor pertemuan tumbuh]], teknik pertama untuk memproduksi transistor pertemuan dwikutub<ref>[http://semiconductormuseum.com/PhotoGallery/PhotoGallery_M1752.htm TRANSISTOR MUSEUM Historic Transistor Photo Gallery '''BELL LABS TYPE M1752''']</ref>. Diciptakan oleh [[William Shockley]] di [[Bell Labs]] pada [[23 Juni]] [[1948]]<ref>{{cite book|last=Morris|first=Peter Robin| title=A History of the World Semiconductor Industry|series=IEE History of Technology Series 12|year=1990|publisher=Peter Peregrinus Ltd.|location=London|isbn=0 86341 227 0|page=29|chapter=4.2}}</ref>. Hak paten didapatkan pada [[26 Juni]] [[1948]].

* [[Transistor pertemuan]], butiran paduan emitor dan kolektor dilelehkan ke basis. Dikembangkan oleh [[General Electric]] dan [[RCA]]<ref>[http://semiconductormuseum.com/PhotoGallery/PhotoGallery_TA153.htm TRANSISTOR MUSEUM Historic Transistor Photo Gallery '''RCA TA153''']</ref> in 1951.

** [[Transistor paduan mikro terdifusi]], tipe kecepatan tinggi dari transistor pertemuan paduan. Dikembangkan oleh [[Philco]].

** [[Transistor paduan terdifusi tonggak]], tipe kecepatan tinggi dari transistor pertemuan paduan. Dikembangkan oleh [[Philips]].

* [[Transistor penghalang permukaan]], transistor penghalang logam kecepatan tinggi. Dikembangkan oleh [[Philco]]<ref>[http://semiconductormuseum.com/PhotoGallery/PhotoGallery_A01.htm TRANSISTOR MUSEUM Historic Transistor Photo Gallery '''PHILCO A01''']</ref> in 1953<ref>[http://semiconductormuseum.com/PhotoGallery/PhotoGallery_SurfaceBarrier.htm TRANSISTOR MUSEUM Historic Transistor Photo Gallery '''Surface Barrier Transistor''']</ref>.

* [[Transistor medan-alir]], transistor pertemuan dwikutub kecepatan tinggi. Diciptakan oleh [[Herbert Kroemer]]<ref>[http://ieeexplore.ieee.org/iel5/16/20748/00960370.pdf ''Herb’s Bipolar Transistors'' IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, VOL. 48, NO. 11, NOVEMBER 2001] PDF</ref><ref>[http://ieeexplore.ieee.org/iel5/16/31630/01474625.pdf?isnumber=&arnumber=1474625 Influence of Mobility and Lifetime Variations on Drift-Field Effects in Silicon-Junction Devices] PDF</ref> di Central Bureau of Telecommunications Technology of the German Postal Service pada tahun [[1953]].

* [[Transistor difusi]], transistor pertemuan dwikutub tipe modern. Prototip<ref>[http://semiconductormuseum.com/PhotoGallery/PhotoGallery_Prototype_DiffusedBase.htm TRANSISTOR MUSEUM Historic Transistor Photo Gallery '''BELL LABS PROTOTYPE DIFFUSED BASE TRIODE''']</ref> dikembangkan di Bell Labs pada tahun [[1954]].

** [[Transistor basis terdifusi]], implementasi pertama dari transistor difusi.

** [[Transistor Mesa]], dikembangkan oleh [[Texas Instruments]] pada tahun [[1957]].

** [[Transistor planar]], teknik produksi yang memungkinkan produksi sirkuit terpadu monolitik secara masal. Dikembangkan oleh Dr. [[Jean Hoerni]]<ref>[http://semiconductormuseum.com/PhotoGallery/PhotoGallery_2N1613.htm TRANSISTOR MUSEUM Historic Transistor Photo Gallery '''FAIRCHILD 2N1613''']</ref> di [[Fairchild Semiconductor]] pada tahun [[1959]].

* [[Transistor epitaksial]]<ref>http://www.computerhistory.org/semiconductor/timeline/1960-Epitaxial.html</ref>, transistor pertemuan dwikutub yang dibuat menggunakan deposisi fasa uap [[epitaksi]]. Memungkinkan pengendalian tingkat pengotoran dan gradien secara teliti.

* [[Pemanjaran transistor dwikutub]]

* [http://www.faqs.org/docs/electric/Semi/SEMI_4.html Lessons In Electric Circuits Bipolar Junction Transistors] (Note: this site shows current as a flow of electrons, rather than the [[conventional current]], so the arrows may appear the other way around)

* [http://encyclobeamia.solarbotics.net/articles/bip_junct_trans.html EncycloBEAMia – Bipolar Junction Transistor]

* [http://www.st-and.ac.uk/~www_pa/Scots_Guide/info/comp/active/BiPolar/bpcur.html Characteristic curves]

* [http://www.play-hookey.com/semiconductors/transistor.html The transistor]

* [http://amasci.com/amateur/transis.html How Do Transistors Work?]

* [http://ux.brookdalecc.edu/fac/engtech/andy/engi242/bjt_models.pdf ENGI 242/ELEC 222: BJT Small Signal Models]

* [http://semiconductormuseum.com/HistoricTransistorTimeline_Index.htm Historic Transistor Timeline]

* [http://www.tedpavlic.com/teaching/osu/ece327/lab1_bjt/lab1_bjt_transistor_basics.pdf ECE 327: Transistor Basics] Summarizes simple Ebers–Moll model of a bipolar transistor and gives several common BJT circuits.

* [http://www.tedpavlic.com/teaching/osu/ece327/lab7_proj/lab7_proj_procedure.pdf ECE 327: Procedures for Output Filtering Lab] Section 4 ("Power Amplifier") discusses design of a BJT-Sziklai-pair-based class-AB current driver in detail.

[[mn:БиполарХос туйлт транзистор]]