Distorsi seberangan: Perbedaan antara revisi

Konten dihapus Konten ditambahkan
Kenrick95Bot (bicara | kontrib)
k Bot: perubahan kosmetika !
Kenrick95Bot (bicara | kontrib)
k Bot: Penggantian teks otomatis (-diantara +di antara)
Baris 4:
== Mekanisme distorsi ==
[[Berkas:Crossover distortion.png|thumb|300px|left|Distorsi seberangan]]
Gambar diatas menunjukan tingkat keluaran penguat kelas-B pengikut emitor komplementer. Saat tanpa sinyal masukan, keluaran terletak antara kedua catu (yaitu 0V). Panjar basis–emitor semua transistor adalah nol, jadi semua transistor berada pada kondisi tak menghantar. Ketika masukan menuju positif, selama masukan kurang dari tegangan maju V<sub>BE</sub> transistor NPN (≈ 0.65V), transistor tetap dalam keadaan mati, hal ini berarti tegangan keluaran tidak mengikuti tegangan masukan (transistor PNP tetap mati karena dioda basis–emitor dipanjar terbalik oleh sinyal masukan positif). Hal yang sama juga terjadi pada transistor PNP pada saat sinyal masukan negatif. Sehingga diantaradi antara masukan –0,6V - 0,6V, tegangan keluaran bukanlah penguatan dari sinyal masukan, kita dapat melihat bahwa terjadi ''belokan'' pada bentuk gelombang keluaran dekat 0V (atau dimana transistor sedang bergantian menghantar). Belokan ini merupakan penyebab utama distorsi seberangan, dan menjadi sangat mengganggu jika tegangan keluaran relatif rendah (kurang dari 5 kali V<sub>BE</sub>). Distorsi seberangan lain terjadi karena perbedaan penguatan antara kedua transistor, menyebabkan perbedaan penguatan antara sinyal positif dan negatif.
== Kemungkinan pencegahan ==
Pada konteks penguat kelas-B/AB, distorsi seberangan dapat dikurangi dengan memberikan sedikit panjar maju pada transistor. Panjar maju menyebabkan sirkuit untuk beroperasi pada moda kelas-AB, jadi semua transistor sedikit menghantar pada titik seberangan. Ini dapat menghilangkan belokan pada seberangan. Walaupun begitu, distorsi seberangan jenis lain tetap ada, yang dapat dikurangi dengan umpanbalik negatif.